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Diodos y transistores en SOT23 a +175 °C

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Certificados para poder ser empleados en aplicaciones de la industria automotriz, estos diodos y transistores en un encapsulado SOT23 presentan una mayor...
Transistor de potencia RF de 750 W a 915 MHz

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Ampleon anuncia un nuevo transistor de potencia RF de 750 W. El BLF0910H9LS750P alcanza una eficiencia del 72,5 por ciento a 915 MHz en...
Transistores HEMT GaN con elevada densidad de potencia

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Los transistores HEMT GaN con elevada densidad de potencia CoolGaN permiten una conmutación de alta velocidad en diseños compactos. Mouser Electronics, una filial de TTI,...
Transistores SiC de próxima generación

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Sumitomo Electric ha desarrollado transistores SiCde superunión V-groove mediante un proyecto conjunto con el Instituto Nacional de Ciencia y Tecnología Industriales Avanzadas (AIST) en...
FET SiC en encapsulado Kelvin

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UnitedSiC ha ampliado su serie UF3C FAST con la introducción de una gama adicional de FET SiC (de carburo de silicio) en una opción...
JFET SiC a 650 y 1200 V de tercera generación

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Estos nuevos JFET SiC a 650 y 1200 V de tercera generación se dirigen a protección de circuito en proyectos ferroviarios, aeronaves y tracción. UnitedSiC...
Transistor robusto RF de 250 W

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El transistor robusto RF de 250 W titulado BLC2425M10LS250 ofrece una eficiencia del 69 por ciento y soporta VSWR 20:1 en todas las fases....
Transistores de ultra bajo ruido

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Los transistores de ultra bajo ruido con el respaldo de la plataforma CMOS de 180 nm son ideales en amplificadores de micrófonos analógicos o...
Transistores GaN para comunicaciones

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El distribuidor Mouser Electronics, una filial de TTI, y distribuidor global de semiconductores y componentes electrónicos, ha anunciado la disponibilidad en stock de los...