Inicio Componentes activos Transistor LDMOS Doherty RF B11G3338N80D

Transistor LDMOS Doherty RF B11G3338N80D

1543
0

Trabajando en las frecuencias por debajo de la banda de los 6 GHz, el transistor LDMOS Doherty RF B11G3338N80D es útil en aplicaciones de estaciones base entre otras.

Ampleon, empresa especializada en productos de potencia para comunicaciones de radiofrecuencia 4G y 5G para mercados como el industrial, el científico o el médico, presenta el B11G3338N80D, su nuevo transistor LDMOS Doherty RF push-pull de tres etapas completamente integrado, el cual es el producto portador de la familia de controladores GEN11 Macro que cubre todas las bandas de frecuencia inferiores a la de los 6 GHz.

Es un dispositivo multibanda que cubre un abanico de frecuencias que va desde los 3,3 hasta los 3,8 GHz y, con ello, facilita la implementación de la nueva generación de estaciones base macro de alta potencia.

El nuevo transistor LDMOS Doherty RF B11G3338N80D se presenta en un encapsulado PQFN de 12×7 milímetros cuadrados, integrando los dispositivos portadores y de pico, el splitter de entrada, el combinador de salida, y el pre-match para cada sección.

La configuración push-pull de los dispositivos elimina la necesidad de disponer de un aislador entre etapas, y el pre y post match integrado permite una impedancia de entrada de 50 ohmios, así como una impedancia de salida de 25 ohmios.

El nivel de integración del B11G3338N80D permite simplificar de manera significativa el proceso de diseño, reduce la lista de materiales y, por consiguiente, el precio, y asegura la fiabilidad y el volumen de consistencia.

La huella compatible pin a pin con las bandas por debajo de los 6 GHz permite disminuir el trabajo de diseño, que es esencial para las aplicaciones actuales con limitaciones de espacio.

Aplicaciones para el transistor LDMOS

Tal y cómo podemos ver en su hoja de producto, el B11G3338N80D es útil para aplicaciones de estaciones base (tanto macrocelda, como microcelda), 5G mMIMO, W-CMDA/LTE, de antenas activas, y para aplicaciones de propósito general.

Transistor LDMOS Doherty RF B11G3338N80D

Típicamente, los transistores RF Doherty ofrecen una eficiencia de drenado del 22% a una potencia de 12 dB, y una potencia de ganancia de 34 dB en las condiciones indicadas.

Además, el diseño integra protección ESD, y conmutación de la puerta de polarización.

DEJA UNA RESPUESTA

Por favor ingrese su comentario!
Por favor ingrese su nombre aquí

Este sitio usa Akismet para reducir el spam. Aprende cómo se procesan los datos de tus comentarios.