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Transistores GaN HEMT apantallados de 650 V y 60 A para proyectos espaciales

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Los transistores GaN HEMT TDG650E601TSP y TDG650E602TSP superan las pruebas NASA Level 1 para cumplir los requisitos de aplicaciones de alta fiabilidad.

Teledyne e2v HiRel anuncia nuevas versiones con apantallado espacial de sus transistores de alta movilidad de electrones de nitruro de galio (GaN HEMT) de 650 V y 60 A.

Los nuevos componentes superan el flujo de apantallado NASA Level 1 y, si se desea, pueden llevar la conformidad total de Nivel 1 con pruebas de calificación adicionales. Las aplicaciones típicas incluyen gestión de baterías, convertidores DC-DC y accionamientos de motores espaciales.

Por otro lado, las propiedades del GaN permiten un breakdown de alta corriente y tensión y una elevada frecuencia de conmutación, posibilitando diseños con aumento de eficiencia y densidad en aplicaciones militares y aeroespaciales críticas.

Las dos novedades son el TDG650E601TSP Space GaN E-mode Transistor con tensión drain-to-source de hasta 900 V y el TDG650E602TSP Space GaN E-mode Transistor con tensión drain-to-source de hasta 750 V. En ambos casos, con opciones para EAR99 o fuentes europeas.

Estos transistores de Teledyne e2v HiRel también se caracterizan por trazabilidad de lote de oblea, rango de temperatura operativa extendida de -55 a +125 °C y encapsulado de baja inductancia y mínima resistencia térmica.

Transistores GaN HEMT apantallados de 650 V y 60 A para proyectos espaciales

En principio, nuestra familia de productos GaN HEMT ha sido muy popular entre nuestros clientes, que han solicitado la incorporación al catálogo de versiones con apantallado espacial”, señala Mont Taylor, vicepresidente de desarrollo de negocio de Teledyne e2v HiRel. “Los nuevos componentes de 650 V y 60 A proporciona un apantallado del cien por cien y pueden obtener la calificación nivel 1”.

Existe más información de los transistores GaN HEMT en este enlace.

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