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EPC2066 Transistor eGaN de elevada eficiencia y pequeño tamaño

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El FET GaN EPC2066 resulta ideal en aplicaciones de alto rendimiento con restricciones de espacio.

Efficient Power Conversion (EPC), fabricante de FET y circuitos integrados (CI) de nitruro de galio enhancementmode (eGaN), amplía su oferta de transistores GaN de baja tensión con la introducción del FET GaN EPC2066 (0,8 mΩ típico, hasta 1,18 mΩ y 40 V).

La combinación de bajas pérdidas y pequeño tamaño hace que el EPC2066 sea el interruptor ideal para el lado secundario de convertidores DC-DC de 40 – 60 V a 12 V en servidores e inteligencia artificial (IA). También se puede emplear en la rectificación simultánea del lado secundario a 12 V en fuentes de alimentación y servidores de centros de datos (silver box) y aplicaciones de control de motor de alta densidad de 24 a 32 V.

La operación de elevada frecuencia, la alta eficiencia y el formato de 13,9 mm² satisfacen las necesidades de densidad de potencia.

El EPC2066 tiene unas dimensiones compatibles con los productos de la Generación 4 de EPC, como el EPC2024. El nuevo modelo de Generación 5 consigue una reducción de la resistencia del 27 por ciento en la misma área.

“El EPC2066 es significativamente más compacto que otros FET del mercado con una resistencia similar”, comenta Alex Lidow, cofundador y CEO de EPC. “Este componente se convierte en el complemento perfecto del EPC2071, recientemente lanzado, para DC-DC LLC en aplicaciones informáticas de alta densidad”.

Diseño de referencia

La tarjeta de diseño de referencia EPC9174 es un convertidor LCC de entrada de 48 V a salida de 12 V. Posee el EPC2071 para el puente de lado primario y el EPC2066 para el lado secundario.

EPC2066 Transistor eGaN de elevada eficiencia y pequeño tamaño

El FET GaN posibilita una frecuencia de conmutación de 1 MHz y una potencia de 1,2 kW en un tamaño de 22,9 x 58,4 x 10 mm (densidad de potencia de 1472 W por pulgada cúbica).

El pico de eficiencia alcanza el 97,3 por ciento a 550 W, mientras que la eficiencia con carga completa llega al 96,3 por ciento a 12 V, proporcionando una salida de 100 A.

Existe más información del transistor eGaN en este enlace.

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