Inicio Componentes activos CLF3H0060(S)-30 y CLF3H0035(S)-100 Transistores HEMT GaN-on-SiC de 30 y 100 W

CLF3H0060(S)-30 y CLF3H0035(S)-100 Transistores HEMT GaN-on-SiC de 30 y 100 W

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Los transistores HEMT CLF3H0060(S)-30 y CLF3H0035(S)-100 cubren un amplio rango de frecuencia con alta linealidad.

Ampleon anuncia el lanzamiento de dos nuevos transistores HEMT GaN-on-SiC de banda ancha en las clases de potencia de 30 W (CLF3H0060(S)-30) y 100 W (CLF3H0035(S)-100). Estos dispositivos de alta linealidad son los primeros productos del proceso HEMT GaN-SiC Generación 3 de la compañía.

En concreto, las novedades ofrecen alta linealidad de banda ancha bajo parámetros de baja bias para incrementar los niveles de rendimiento (bajo productos de intermodulación de tercer orden de -32 dBc a 5 dB, y menos de -42 dBc a 8 dB de potencia saturada sobre un ancho de banda 2:1).

Aplicaciones y usos para los componentes electrónicos

La linealidad de banda ancha resulta vital para las radios de agilidad de frecuencia desplegadas en la actual electrónica de defensa a la hora de gestionar formas de onda de comunicación multimodo (desde FM a través de señales de QAM de alto orden) con la aplicación simultánea de canales de contramedida.

Estas aplicaciones requieren transistores con mejoras en linealidad de banda ancha, como los transistores Ampleon Generation 3 GaN-on-SiC HEMT.

Además, estos transistores se presentan en un encapsulado térmicamente mejorado, que respalda una operación fiable y proporciona una capacidad VSWR extremadamente robusta de hasta 15:1 para un dispositivo de 30 W.

Su diseño robusto respalda una operación de Clase A, habitual en aplicaciones de instrumentación con condiciones de puerta saturada, manteniendo la linealidad sobre un amplio rango dinámico en rangos de frecuencia extendidos.

CLF3H0060(S)-30 y CLF3H0035(S)-100 Transistores HEMT GaN-on-SiC de 30 y 100 W

Por lo tanto, los nuevos transistores HEMT GaN-on-SiC “establecen un estándar en tecnología GaN de alta linealidad” para aplicaciones de banda ancha, sin alterar las prestaciones térmicas y la robustez.

Existe más información de los transistores HEMT GaN-on-SiC en este enlace.

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