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EPC7007 FET GaN de 200 V para misiones aeroespaciales críticas

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El FET GaN rad-hard EPC7007 ofrece una RDSon ultrabaja en un formato diminuto (5,76 mm²).

EPC anuncia la introducción del FET de nitruro de galio (GaN) radiation-hardened (radhard) EPC7007 con valores de 200 V, 25 mΩ y 80 A en un formato de 5,76 mm². Tiene una ratio de dosis total superior a 1 Mrad y una inmunidad SEE para LET de 85 MeV/(mg/cm²) y se presenta en un encapsulado chipscale, el mismo de FET y CI eGAN comerciales.

En comparación con dispositivos de silicio rad-hard con RDSon similar, el EPC7007 es cuarenta veces más compacto que QG y QGD zero reverse recovery (QRR).

Y, con mayor fuerza, menor carga de puerta y pérdida de conmutación y mejor conductividad térmica, los dispositivos basados en GaN superan las prestaciones de las alternativas de silicio y respaldan un aumento en la densidad de potencia y la eficiencia en misiones aeroespaciales críticas.

Así pues, las aplicaciones que se pueden beneficiar del rendimiento y la rapidez de despliegue del EPC7007 abarcan alimentación DC-DC, motores, lidar, sondas de penetración profunda y propulsores iónicos para aplicaciones espaciales, satélites y aviónica.

Comentarios sobre el nuevo componente electrónico

EPC7007 FET GaN de 200 V para misiones aeroespaciales críticas

“Inicialmente, nuestra tecnología GaN posibilita una nueva generación de soluciones de conversión de potencia y motor drives en el espacio que operan con frecuencias, eficiencias y densidades de potencia superiores a las alcanzadas anteriormente. El EPC7007 ofrece a los diseñadores una solución con una figura de mérito cincuenta veces mayor a los dispositivos rad-hard de silicio”, afirma Alex Lidow, CEO y cofundador de EPC. “El EPC7007 amplía el rango de tensión de nuestra familia rad-hard a 200 V y dota de una reducción significativa de tamaño y coste”.

Y, para terminar, los lectores interesados podéis encontrar más información del FET GaN en este enlace.

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