Al azar

Cargador de batería buck-boost USB-C

Cargador de batería buck-boost USB-C

Alvaro Llorente - 11 diciembre, 2018

0

Familia de FPGAs ForgeFPGA

Familia de FPGAs ForgeFPGA

Guillem Alsina - 25 noviembre, 2021

0

Regulador síncrono monochip protegido ante la radiación

Regulador síncrono monochip protegido ante la radiación

Guillem Alsina - 30 enero, 2020

0

Renesas

Inicio Renesas

Módulos de potencia PMBus

Módulos de potencia PMBus

Guillem Alsina - 20 marzo, 2019 0

Microcontrolador RA2L2 con soporte USB-C Rev. 2.4

Microcontrolador RA2L2 con soporte USB-C Rev. 2.4

Irene Oñate - 11 junio, 2025 0

RZ/T2L MPU industrial compatible con el protocolo EtherCAT

RZ/T2L MPU industrial compatible con el protocolo EtherCAT

Alvaro Llorente - 29 marzo, 2023 0

Gate driver RAJ2930004AGM

Gate driver RAJ2930004AGM

Guillem Alsina - 27 enero, 2023 0

**MOSFETs de alto rendimiento con nueva tecnología de Renesas** *Renesas Electronics lanza nuevos MOSFETs N-Channel de 100 V con una reducción significativa en resistencia de conducción, carga de puerta-drain y tamaño del encapsulado, diseñados para aplicaciones exigentes como control de motores y gestión de baterías.* **Rendimiento optimizado para múltiples aplicaciones** **Renesas Electronics**, proveedor destacado de soluciones avanzadas de semiconductores, ha introducido MOSFETs N-Channel de alta potencia que ofrecen un rendimiento líder en el sector para aplicaciones de conmutación de alta corriente. Estos dispositivos están diseñados para entornos exigentes como control de motores, sistemas de gestión de baterías, herramientas eléctricas, centros de datos y fuentes de alimentación ininterrumpidas (UPS). Entre los productos finales compatibles se incluyen vehículos eléctricos, bicicletas eléctricas y estaciones de carga. La nueva tecnología de fabricación de obleas **REXFET-1** desarrollada por Renesas permite a los nuevos dispositivos reducir la resistencia de conducción en un **30 %**, minimizando así la pérdida de energía en los diseños. Además, dicha tecnología mejora las características de carga eléctrica, logrando una disminución del **10 %** en la carga de puerta total (**Qg**) y un notable **40 %** en la carga puerta-drain (**Qgd**) durante la fase de "Miller Plateau". Estas mejoras optimizan la eficiencia energética en las aplicaciones más complejas. **Encapsulados compactos y versátiles** Los nuevos MOSFETs, identificados como **RBA300N10EANS** y **RBA300N10EHPF**, están disponibles en encapsulados **TOLL** y **TOLG**, que no solo son compatibles en pines con dispositivos de otros fabricantes, sino que también reducen el tamaño en un **50 %** respecto a los tradicionales encapsulados **TO-263**. Además, el encapsulado TOLL incorpora flancos mojables que facilitan la inspección óptica durante el ensamblaje, garantizando una mayor fiabilidad. Estos avances consolidan a Renesas como líder en el mercado de MOSFETs, combinando soluciones técnicas superiores con una capacidad de producción escalable en múltiples instalaciones de alto volumen, asegurando así el suministro continuo para sus clientes. *Para más información o precios sobre los nuevos **MOSFETs RBA300N10EANS y RBA300N10EHPF**, puedes dejarnos un sencillo **COMENTARIO**. Nosotros se lo haremos llegar al fabricante o distribuidor del producto para que te responda rápidamente.* *Cursivas y etiquetas*: #MOSFET, #NChannel, #Renesas, #REXFET1, #RBA300N10EANS, #RBA300N10EHPF, #TOLL, #TOLG

MOSFETs de alto rendimiento con nueva tecnología

Alvaro Llorente - 9 enero, 2025 0

Premios AutoSens 2017 a la innovación en hardware

Premios AutoSens 2017 a la innovación en hardware

Alvaro Llorente - 10 octubre, 2017 0

MCU con certificado ASIL-D

MCU con certificado ASIL-D

Irene Oñate - 20 octubre, 2014 0

semiconductor de potencia para uso en aire acondicionado

Semiconductor de potencia para uso en aire acondicionado

Alvaro Llorente - 19 noviembre, 2015 0

RAJ306001 y RAJ306010 SiP de control de motor BLDC

RAJ306001 y RAJ306010 SiP de control para motores BLDC

Maria Camara - 7 abril, 2021 0

12 3...11 Página 1 de 11