Mouser Electronics, una filial de TTI, y distribuidor global de semiconductores y componentes electrónicos, informa que su representada Infineon Technologies ha presentado la familia de MOSFETs de 25 y 30 V OptiMOS 5 de 25 y 30 V, su nueva generación de MOSFETs en paquetes estándar, una nueva clase de etapas de potencia llamadas Power Block, y una etapa de potencia integrada llamada DrMOS 5×5.
Conjuntamente con el driver de Infineon y los productos de controlador digital de la compañía, esta ofrece soluciones de sistemas completos para aplicaciones como servidores, clientes, comunicaciones de datos o de telecomunicaciones.
Tendencias como el Cloud Computing, la Internet de las Cosas, o el Social Media, colaboran a incrementar la demanda de potencia de computación en la sociedad actual. A esta la acompaña, además, un incremento paralelo en lo que respecta al consumo energético, lo que nos lleva a necesitar una forma más eficiente de convertir la energía para no desaprovechar nada.
La nueva familia de MOSFETs de 25 y 30 V OptiMOS de Infineon de 25 y 30 V ofrecen sendas soluciones con mejoras en la eficiencia de alrededor de un 1% en todo el rango de carga, en comparación con la generación precedente, superando el 95% de máxima eficiencia en un típico diseño de servidor de regulación de voltaje.
Beneficios del uso de la nueva familia de MOSFETs de 25 y 30 V
Este mejor rendimiento se basa, por ejemplo, en la reducción de las pérdidas de conmutación (interruptor Q) a la mitad en comparación con la tecnología OptiMOS de generación anterior. Por lo tanto, implementar el nuevo OptiMOS 25 V conllevaría un ahorro energético de 26.3kWh al año para una sola CPU de 130 W para servidor trabajando ininterrumpidamente los 365 días del año. Si contamos que en una granja de servidores media trabajan unas 50.000 máquinas, en total obtendríamos un ahorro de 1.3 GWh por año.
El lanzamiento de esta nueva familia de MOSFETs de 25 y 30 V viene acompañado de la introducción de una nueva tecnología de envasado que ofrece una mayor reducción en el consumo de área del PCB.
Se utiliza en la familia de MOSFETs de 25 y 30 V Power Block y en la etapa de potencia integrada DrMOS PowerStage 5×5, y ofrece una fuente MOSFET down low-side para mejorar el rendimiento térmico, con una reducción de un 50% en la resistencia térmica en comparación con soluciones de paquete estándar, tales como SuperSO8.
