Más recientes

MOSFET de 100 V RY7P250BM para servidores IA

MOSFET de 100 V RY7P250BM para servidores IA

Vela Lezuela - 2 julio, 2025

0

MOSFET de carburo de silicio de 1200 V en encapsulado D2PAK-7

MOSFET de carburo de silicio de 1200 V en encapsulado D2PAK-7

Emma Cross - 23 junio, 2025

0

MOSFET de super unión WSJ2M60R065DTL para servidores

MOSFET de super unión WSJ2M60R065DTL para servidores

Juan Monsalve - 23 abril, 2025

0

MOSFET

Inicio MOSFET

MOSFET de potencia JANSF2N8587U3 resistentes a radiación

MOSFET de potencia JANSF2N8587U3 resistentes a radiación

Irene Oñate - 21 abril, 2025 0

MOSFET XSemi de elevada eficiencia

MOSFET XSemi de elevada eficiencia

Alvaro Llorente - 28 febrero, 2025 0

MOSFET Gen 4 para aplicaciones de alta potencia

MOSFET Gen 4 para aplicaciones de alta potencia

Irene Oñate - 23 enero, 2025 0

**MOSFETs de alto rendimiento con nueva tecnología de Renesas** *Renesas Electronics lanza nuevos MOSFETs N-Channel de 100 V con una reducción significativa en resistencia de conducción, carga de puerta-drain y tamaño del encapsulado, diseñados para aplicaciones exigentes como control de motores y gestión de baterías.* **Rendimiento optimizado para múltiples aplicaciones** **Renesas Electronics**, proveedor destacado de soluciones avanzadas de semiconductores, ha introducido MOSFETs N-Channel de alta potencia que ofrecen un rendimiento líder en el sector para aplicaciones de conmutación de alta corriente. Estos dispositivos están diseñados para entornos exigentes como control de motores, sistemas de gestión de baterías, herramientas eléctricas, centros de datos y fuentes de alimentación ininterrumpidas (UPS). Entre los productos finales compatibles se incluyen vehículos eléctricos, bicicletas eléctricas y estaciones de carga. La nueva tecnología de fabricación de obleas **REXFET-1** desarrollada por Renesas permite a los nuevos dispositivos reducir la resistencia de conducción en un **30 %**, minimizando así la pérdida de energía en los diseños. Además, dicha tecnología mejora las características de carga eléctrica, logrando una disminución del **10 %** en la carga de puerta total (**Qg**) y un notable **40 %** en la carga puerta-drain (**Qgd**) durante la fase de "Miller Plateau". Estas mejoras optimizan la eficiencia energética en las aplicaciones más complejas. **Encapsulados compactos y versátiles** Los nuevos MOSFETs, identificados como **RBA300N10EANS** y **RBA300N10EHPF**, están disponibles en encapsulados **TOLL** y **TOLG**, que no solo son compatibles en pines con dispositivos de otros fabricantes, sino que también reducen el tamaño en un **50 %** respecto a los tradicionales encapsulados **TO-263**. Además, el encapsulado TOLL incorpora flancos mojables que facilitan la inspección óptica durante el ensamblaje, garantizando una mayor fiabilidad. Estos avances consolidan a Renesas como líder en el mercado de MOSFETs, combinando soluciones técnicas superiores con una capacidad de producción escalable en múltiples instalaciones de alto volumen, asegurando así el suministro continuo para sus clientes. *Para más información o precios sobre los nuevos **MOSFETs RBA300N10EANS y RBA300N10EHPF**, puedes dejarnos un sencillo **COMENTARIO**. Nosotros se lo haremos llegar al fabricante o distribuidor del producto para que te responda rápidamente.* *Cursivas y etiquetas*: #MOSFET, #NChannel, #Renesas, #REXFET1, #RBA300N10EANS, #RBA300N10EHPF, #TOLL, #TOLG

MOSFETs de alto rendimiento con nueva tecnología

Alvaro Llorente - 9 enero, 2025 0

MOSFET de potencia en encapsulado CCPAK1212 con clip de cobre

MOSFET de potencia en encapsulado CCPAK1212 con clip de cobre

Irene Oñate - 13 diciembre, 2024 0

MOSFET de 40 V SiJK140E en encapsulado PowerPAK 10x12

MOSFET de 40 V SiJK140E en encapsulado PowerPAK 10×12

José Monsalve - 4 diciembre, 2024 0

MOSFET LV MXT MDWC0151ERH y MDWC12D025ERH

MOSFET LV MXT MDWC0151ERH y MDWC12D025ERH

Alvaro Llorente - 29 octubre, 2024 0

MOSFETs CoolSiC 650 V G2 en encapsulados TOLT y Thin-TOLL

MOSFETs CoolSiC 650 V G2 en encapsulados TOLT y Thin-TOLL

Guillem Alsina - 5 junio, 2024 0

AONG36322 MOSFET half-brigde en encapsulado XSPairFET DFN3.5x5 asimétrico

AONG36322 MOSFET half-brigde en encapsulado XSPairFET DFN3.5×5 asimétrico

Maria Camara - 29 mayo, 2024 0

12 3...18 Página 1 de 18