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SiC FET de 1200 V en encapsulado Kelvin 4-lead

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El nuevo SiC FET de 1200 V en encapsulado Kelvin 4-lead UF3C120150K4S está especialmente indicado en sistema de recarga de vehículos eléctricos (VE), inversores fotovoltaicos, fuentes de alimentación conmutadas, módulos de corrección de factor de potencia, controladores de motor y calefacción por inducción.

UnitedSiC amplía su serie UF3C FAST con la introducción de un dispositivo SiC FET de alto rendimiento de 1200 V con una opción de encapsulado discreto Kelvin Sense 4-leaded TO-247-4L.

El UF3C120150K4S ofrece una resistencia (RDS(on)) de 150 mΩ, extendiendo el número de dispositivos FAST 4-leaded a seis y mejorando el rango de resistencia de toda la serie de 30 mΩ a 150 mΩ.

Con una temperatura operativa de hasta +175 °C, el UF3C120150K4S aporta una excelente recuperación inversa baja carga de puerta y mínima capacidad intrínseca.

De esta forma, el encapsulado TO-247-4L de clase HBM 2 y protegido ante la descarga electrostática (ESD) dota de mayor velocidad de conmutación y formas de onda de puerta más limpias que un encapsulado TO-247 3-leaded.

Este encapsulado Kelvin de 4 pines también ayuda a evitar gate ringing y false triggering y se convierte en una solución ideal para sistema de recarga de vehículos eléctricos (VE), inversores fotovoltaicos, fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), módulos de corrección de factor de potencia (PFC), controladores de motor y calefacción por inducción.

Modelos posibles en el SiC FET de 1200 V

SiC FET de 1200 V en encapsulado Kelvin 4-lead

La serie UF3C FAST SiC de UnitedSiC que consta de un total de trece dispositivos, se encuentra disponible en encapsulados TO-247-3L y TO-247-4L con opciones de 650 y 1200 V. Estos modelos aportan conmutación rápida, elevada potencia y alta disipación de potencia en una configuración en cascada.

Además, el encapsulado Kelvin de cuatro terminales ofrece montaje atornillado o abrazadera con muy baja resistencia térmica junction-to-case para poder incrementar el rango de temperatura.

Todas las unidades UJ3C y UF3C SiC FET del catálogo de UnitedSiC tienen una funcionalidad de “reemplazo”. Así los diseñadores pueden mejorar las prestaciones del sistema sin necesidad de cambiar la tensión de los controladores al sustituir los dispositivos Si IGBTs, Si FET, SiC MOSFET o de superunión Si con los FET de UnitedSiC.

Para finalizar, el UF3C120150K4S ya se encuentra disponible a través de Mouser Electronics y otros distribuidores locales.

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