Irene Oñate

Plataforma de evaluación de transistores GaN

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Plataforma de evaluación de transistores GaNGaN Systems ha lanzado un kit de evaluación de transistores GaN de estilo daughterboard para ayudar a los ingenieros de sistemas de potencia a valorar el rendimiento GaN E-HEMT de cualquier diseño, junto con una placa madre universal (GS665MB-EVB).

La familia de cuatro daughterboard con un rango de 750 a 2500 W se compone de dos GaN Systems 650 V GaN Enhancement-mode HEMTs (E-HEMTs) y todos los circuitos necesarios, incluyendo controladores de puerta half-bridge, fuentes de alimentación aisladas y un disipador de calor (heatsink) opcional para conformar una fase de potencia half-bridge de elevado rendimiento.

Esta plataforma de evaluación de transistores GaN, que sirve como diseño de referencia y herramienta de evaluación, tiene una altura de montaje vertical de 35 mm para adaptarse a la mayoría de diseños 1U y permite la valoración de GaN E-HEMT en una placa de fuente de alimentación through-hole tradicional.

Una posición de shunt de corriente facilita el test de caracterización de energía, mientras que el formato universal posibilita la comparación de varios niveles de potencia para optimizar la relación coste / rendimiento.

GaN Systems también ha presentado el GS61008P-EVBBK, un convertidor buck síncrono de 48 a 12 V basado en el GS61008P, un GaN E-HEMT de 100 V y 90 A. Este sistema muestra elevada eficiencia con frecuencias de hasta 2 MHz, demandadas en soluciones de 48 V.

Comentarios sobre la plataforma de evaluación de transistores GaN

“Con esta familia de tarjetas de evaluación GaN E-HEMT, dotamos a los ingenieros de diseño de las herramientas para mejorar el rendimiento de transistores GaN en sus sistemas. Nuestros kits facilitan el desarrollo de AC/DC, almacenamiento de energía, DC/DC y otros sistemas de potencia en los mercados de consumo, centros de datos, industria, transporte y energético”, concluye Larry Spaziani, vicepresidente de Ventas y Marketing de GaN Systems.


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