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MOSFET de potencia en encapsulado LFPAK33

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MOSFET de potencia en encapsulado LFPAK33Nexperia, la antigua división de Productos Estándares de NXP, ha anunciado la disponibilidad de sus MOSFET de potencia en encapsulado LFPAK33 de grado automoción con mejoras térmicas y un tamaño un 80 por ciento menor que otros dispositivos estándares.

Los modelos LFPAK33 se caracterizan por una menor resistencia como respuesta a la demanda de la industria de reducir el tamaño de los módulos a bordo de vehículos y, al mismo tiempo, aumentar la eficiencia y la fiabilidad.

Los nuevos MOSFET permiten ofrecer la infraestructura de alimentación que necesitan los subsistemas de próxima generación, como radares y tecnología de ayuda al conductor (ADAS).

El encapsulado Nexperia LFPAK33 usa un diseño de clip de cobre que disminuye la resistencia y la inductancia y, a su vez, minimiza la resistencia RDS(on) y las pérdidas de los MOSFET.

Estos modelos de 10.9 mm² también destacan por rango de temperatura de hasta +175 °C, capacidad de gestión de hasta 70 A y versiones de 30 a 100 V y RDS(on) de 6.3 m.

“Ante la incorporación de un gran número de subsistemas a bordo de los vehículos, crece la necesidad de sistemas de alimentación compactos y rugerizados”, afirma Richard Ogden, International Product Marketing Engineer de Nexperia. “Esta ampliación del catálogo LFPAK ofrece a los diseñadores mayor capacidad de elección”.

Usos para los MOSFET de potencia en encapsulado LFPAK33

Las principales aplicaciones incluyen módulos conectados, sistemas de gestión de motor de próxima generación, chasis y tecnología de seguridad, iluminación mediante LED, sustitución de relés, C2X, radares, sistemas de info-entretenimiento y navegación y ADAS.

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