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Transistores RF LDMOS

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Transistores RF LDMOS Ampleon ha anunciado la disponibilidad de una línea completa de transistores RF LDMOS de potencia y pallets basados en la última tecnología de proceso Gen 9 LDMOS.

Con un nivel de potencia de 50 a 400 W, la nueva gama se dirige a radares de banda S para aplicaciones de RF pulsada, donde la densidad de la Gen 9 supera las necesidades específicas SWaP – CR de las industrias militar y aeroespacial.

La tecnología de proceso Gen 9 LDMOS ofrece robustez, capacidad de operar a hasta VSWR 10:1 y alta eficiencia. Su elevada densidad de potencia y el diseño de die también ayudan a minimizar el tamaño, algo fundamental en aplicaciones con restricciones de espacio. Los nuevos dispositivos miden 20.6 x 9.8 x 4.1 mm (encapsulado SOT502).

Las soluciones de pallet de bloque de alimentación RF, por su parte, con unas dimensiones de 3.5 x 3.5 cm y un peso de 85 gramos, aportan la combinación perfecta a la hora de realizar un diseño eficiente que ahorra costes y tiempo de desarrollo y producción.

Otras propiedades destacadas en los transistores RF LDMOS

Su enfoque modular garantiza la máxima consistencia de producto y contribuye a acortar el tiempo de llegada al mercado. Es posible usar varios pallets para hacer frente a las necesidades de cada proyecto.

Ya se pueden realizar pedidos de muestras de los transistores RF LDMOS de la familia BLS9GXX y de los pallets de banda S BPS9GXX.

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