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Transistores DMOS FET

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Los nuevos conjuntos de transistores DMOS FET con el primer conductor Sink-Output 1.5 A de la industria se podrán utilizar en aplicaciones sobre motores, relés y unidades de LED.

transistores DMOS FET Toshiba Electronics Europe ha puesto en marcha una nueva generación de conjuntos de transistores DMOS FET (Double-Diffused MOSFET) de alta eficiencia. Las nuevas series TBD62064A y TBD62308A cuentan con un conductor sink-output DMOS FET y son los primeros conjuntos de transistores de la industria con un conductor que soporta hasta 1.5 A en la salida de corriente (tipo Pull).

Las nuevas series de conjuntos de transistores TBD62xxxA están disponibles en las mismas configuraciones de encapsulados y pines, y proporcionan la misma funcionalidad que la anterior serie TD62xxxA, y reduce las pérdidas de energía en un 38% cuando Tj = 90 °C e IOUT es 1.25 A.

Esta reducción de la pérdida de potencia sólo puede lograrse mediante la adopción de los conductores de salida DMOS FET, ya que no requieren una corriente de base y pueden aceptar una elevada densidad de corriente por unidad de superficie del dispositivo, y por lo tanto mantienen baja la resistencia de conexión (ON resistance) y aseguran una alta eficiencia.

Aplicaciones para los transistores DMOS FET

La nueva serie TD62064A y TD62308A de conjuntos de transistores bipolares encuentran amplio uso en aplicaciones sobre motores, relés y unidades LED. Equipada con cuatro canales de 50 V / 1.5 A de salida nominal, también las hace adecuadas para la conducción de motores unipolares paso a paso de tensión constante.

Están fabricadas utilizando la última tecnología de proceso BICD 130 nm y están disponibles en encapsulados HSOP16, DIP16 y SSOP24.

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