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Transistores de potencia de Nitruro de Galio

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Transistores de potencia de Nitruro de Galio GaN Systems va a aprovechar su presencia en PCIM Asia para mostrar las últimas incorporaciones a su catálogo de transistores de potencia de Nitruro de Galio (GaN) para muy diversas aplicaciones.

Por ejemplo, el GS66516T es un nuevo dispositivo de elevada ganancia de 60 A que amplía la oferta de GaN Systems con ratios de corriente de 8 a 250 A.

Basado en el diseño de die Island Technology de la compañía, los nuevos transistores de potencia de Nitruro de Galio GS66516T poseen un encapsulado GaNPX de baja inductancia y elevada eficiencia térmica. También se caracteriza por una nueva tecnología de refrigeración que permite el uso de un heat sink convencional o ventiladores.

Como la tecnología de los transistores de potencia de Nitruro de Galio responde a las necesidades de muy diversos sectores (consumo, industrial y clean tech), los clientes se pueden beneficiar de las ventajas de estos productos, como mayor eficiencia y menores pérdidas.

GaN Systems también demostrará un módulo de alimentación de inversor trifásico de 650 V y 30 A de LS Industrial Systems (Corea del Sur) para el desarrollo de energías limpias y seguras, y convertidores bidireccionales DC/DC de 3 kW y 380/800 V del consorcio NextHome (Estados Unidos).