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MOSFET de potencia de 150 V

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MOSFET SiC de 1700 V

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ROHM Semiconductor acaba de anunciar la disponibilidad de un nuevo MOSFET SiC de 1700 V optimizado para aplicaciones industriales como equipos de fabricación e...
MOSFETs compactos

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Toshiba Electronics Europe está listo para anunciar el desarrollo de su próxima generación en la tecnología de semiconductores superjunction (SJ) deep trench para MOSFETs...
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El fabricante especializado en baja ON-resistance y disipación de calor en encapsulados compactos introduce MOSFETs para conmutación de carga en dispositivos móviles. Toshiba Electronics Europe...
Tecnología SiC MOSFET

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Infineon Technologies ha desarrollado tecnología SiC MOSFET de carburo de silicio que permite a los diseñadores de producto alcanzar niveles hasta ahora impensables en...
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Cree Wolfspeed continúa su innovación en tecnología para dispositivos de energía de carburo de silicio (SiC) y envases con la introducción del primer SiC...
Módulos de potencia y productos SiC

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Con ocasión del SPS IPC Drives en Nuremberg del 24 al 26 de noviembre, ROHM Semiconductor presentará sus últimos módulos de potencia y productos...