ROHM Semiconductor acaba de anunciar la disponibilidad de un nuevo MOSFET SiC de 1700 V optimizado para aplicaciones industriales como equipos de fabricación e inversores de alta tensión de uso general.
Durante los últimos años, la tendencia creciente por conservar la energía en todas las áreas ha aumentado la demanda de semiconductores de potencia para ahorro de energía, destinados especialmente a aplicaciones en el sector industrial, como inversores de uso general y equipos de fabricación.
En la mayoría de fuentes de alimentación auxiliares, que se utilizan para proporcionar tensiones de accionamiento a circuitos de fuentes de alimentación, circuitos de control y varios sistemas complementarios, se emplean MOSFET de silicio con una alta tensión de ruptura (más de 1000 V). No obstante, estos MOSFET de alta tensión experimentan grandes pérdidas en conducción (que a menudo generan un calor excesivo) y presentan problemas relacionados con la superficie de montaje y el número de componentes externos, lo cual dificulta la reducción del tamaño del sistema.
Como respuesta a ello, ROHM ha desarrollado MOSFET SiC de 1700 V con muy bajas pérdidas y circuitos de control que maximizan las prestaciones y ayudan a miniaturizar el producto final.
Aplicaciones del MOSFET SiC de 1700 V
Fuentes de alimentación auxiliares para equipos industriales de alta tensión (400 VCA) como automatización industrial (robots), inversores solares e industriales y dispositivos para fabricación / comprobación.
La marca también lanza tarjetas de evaluación y kits de desarrollo que posibilitan la evaluación y el desarrollo de manera inmediata. Además del BD7682FJ-LB-EVK-402 se ofrece una tarjeta para accionamiento de puerta destinada a la evaluación del módulo de SiC completo, así como un módulo amortiguador.
Principales características técnicas en el MOSFET SiC de 1700 V
- Optimizado para fuentes de alimentación auxiliares en equipos industriales.
- Mejor eficiencia cuando se combina con el circuito integrado dedicado del propio fabricante.
- Evaluación sencilla con la tarjeta de evaluación de ROHM para dispositivos SiC.
