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SiC MOSFET de 1700 V para SMD

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SiC MOSFET de 1700 V para SMDCree Wolfspeed continúa su innovación en tecnología para dispositivos de energía de carburo de silicio (SiC) y envases con la introducción del primer SiC MOSFET de 1700 V para SMD de la industria con un paquete optimizado para montaje en superficie, diseñado para uso comercial de fuentes de alimentación auxiliar en sistemas de inversores de energía de alto voltaje.

Su elevado bloqueo de tensión permite a los ingenieros de diseño sustituir el habitual MOSFET con los nuevos SiC MOSFET de 1700 V para SMD, que ofrecen una eficacia más alta, un circuito controlador simplificado y disipación térmica mejorada, dando como resultado la reducción de costos totales más bajos.

El nuevo paquete SMD, diseñado específicamente para grandes voltajes, tiene un diseño compacto con una distancia de contorno de sólo 7 mm entre drenaje y fuente. Esto es posible gracias al pequeño tamaño y elevada capacidad de bloqueo de la tecnología MOS SiC planar de este fabricante. El nuevo paquete también incluye una conexión de origen de controlador separado, que reduce el timbre de el gate y proporciona señales de el MOSFET gate limpia.

Aplicaciones para el SiC MOSFET de 1700 V para SMD

Estos componentes se han diseñado pensando en el suministro de potencia auxiliar en inversores de alta potencia, tales como inversores de energía solar, unidades de motor, equipos UPS, convertidores de energía y sistemas de energía de tracción, que por lo general utilizan circuitos de protección y ventiladores. También se pueden utilizar en fuentes de alimentación trifásicas o en cualquier aplicación de convertidores que requiera de altos voltajes de bloqueo y baja capacitancia.

Designado C2M1000170J, las nuevas características del SiC MOSFET de 1700 V para SMD admiten una corriente de avalancha mayor de 1800 V y un RDS (ON) de 1 Ω. Estas características aseguran un rendimiento fiable en los circuitos del convertidor Flyback, incluyendo aquellos utilizados en entornos eléctricos ruidosos, como los que se encuentran en inversores de alta potencia.

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