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MOSFET SiC de 1200 V para aplicaciones de alta potencia

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El MOSFET SiC de 1200 V para aplicaciones industriales de alta potencia TW070J120B contribuye a reducir las pérdidas y aumentar la eficiencia.

Toshiba Electronics Europe lanza un MOSFET de carburo de silicio (SiC) de 1200 V para aplicaciones industriales de alta potencia, incluyendo fuentes de alimentación AC-DC con entrada AC de 400 V, inversores fotovoltaicos (PV) y convertidores DC-DC bidireccionales para sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI).

El nuevo MOSFET SiC de 1200 V de potencia TW070J120B cuenta con un material de banda prohibida (WBG) que permite a los dispositivos ofrecer una elevada resistencia de tensión, una conmutación de alta velocidad y baja resistencia (On-resistance) con respecto a los MOSFET y los IGBT convencionales de silicio (Si). Como consecuencia, contribuye significativamente a reducir el consumo de energía y mejorar la densidad de potencia y, por lo tanto, a crear la posibilidad de disminuir el tamaño.

Otras características en el MOSFET

Fabricado con un diseño de chip de segunda generación de Toshiba, este MOSFET SiC de 1200 V aumenta la fiabilidad. El TW070J120B se caracteriza por una baja capacidad de entrada (CISS) de 1680 pF (típica), una baja carga de puerta de entrada (Qg) de 67 nC (típica) y una (RDS(ON)) de 70 mΩ (típica).

En comparación con un IGBT de silicio de 1200 V, como el Toshiba GT40QR21, el nuevo dispositivo reduce la pérdida de conmutación de apagado alrededor del 80 por ciento y el tiempo de conmutación (tiempo de caída) aproximadamente un 70 por ciento, manteniendo una característica de baja tensión (On-voltage) con una corriente de drenado de hasta 20 A.

MOSFET SiC de 1200 V para aplicaciones de alta potencia

La tensión límite de puerta (Vth) se establece en un valor alto (en el rango de 4,2 a 5,8 V), lo que minimiza la posibilidad de encendidos o apagados no intencionados o espurios. Además, la incorporación de un diodo de barrera Schottky (SDB) SiC con una low forward voltage (VDSF) de -1,35 V (típica) también ayuda a reducir las pérdidas.

Disponible en un encapsulado TO-3P(N), el nuevo MOSFET TW070J120B respaldará el diseño de soluciones de alimentación de elevada eficiencia, especialmente en entornos industriales, donde el incremento de la densidad de potencia disminuye el tamaño y el peso del dispositivo.

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