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MOSFET de potencia TK055U60Z1 de 600 V

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Toshiba Electronics Europe introduce en el mercado una serie de MOSFET de potencia de canal N, encabezada por el modelo TK055U60Z1, fruto de la sólida estructura superjunction implementada con la última generación del proceso tecnológico de Toshiba.

Enarbolando la vanguardia tecnológica, el MOSFET primigenio de la serie DTMOSVI, provisto de canal N superjunction y una destacada capacidad de reducción de RDS(ON), se alza a una tensión de 600 V, ejerciendo su influencia en la optimización del ahorro energético.

De manera precisa, dicho dispositivo consigue minimizar la pérdida de potencia en fuentes de alimentación conmutadas, conferiendo ventajas significativas al sistema.

El nuevo MOSFET exhibe una impresionante RDS(ON) de meramente 55mΩ, lo cual denota una mejora de un 13% en comparación con dispositivos afines de la consagrada serie DTMOSIV-H de nuestra institución.

Es más, la medida RDS(ON) x QGD, determinante para evaluar el trabajo del MOSFET, presenta una mejora aproximada de un 52%. Entre los ámbitos de aplicación que se benefician de este hito, destacan las fuentes de alimentación conmutadas de alta eficiencia en centros de datos, los acondicionadores de potencia destinados a generadores fotovoltaicos y los sistemas de alimentación ininterrumpida.

Otras ventajas importantes

Este componente TK055U60Z1 se vale del encapsulado TOLL, ampliamente reconocido y apreciado, el cual incorpora una conexión Kelvin en el terminal de la fuente de señal. Como resultado, se consigue minimizar el impacto de la inductancia del cable de fuente, reduciendo las oscilaciones de conmutación y, de manera consiguiente, mejorando el rendimiento de conmutación cuando el MOSFET opera a velocidades de puerta elevadas.

Asimismo, la aplicación de un conformado de patillas garantiza conexiones soldadas adecuadas, lo que potencia la fiabilidad del montaje y facilita la inspección visual.

La temperatura máxima del canal (Tch) de este producto innovador asciende a 150°C. Específicamente, la RDS(ON) de 47mΩ se establece a una tensión puerta-fuente de 10V.

MOSFET de potencia TK055U60Z1 de 600 V

Los valores típicos en el TK055U60Z1 de carga total de puerta (Qg), carga de drenaje de puerta (Qgd) y capacitancia de entrada (Ciss) se sitúan en 65 nC, 15 nC y 3680 pF, respectivamente. Gracias a estos factores, el nuevo dispositivo se habilita para alcanzar las velocidades de conmutación más rápidas imaginables.

En su afán por fomentar el ahorro energético mediante la reducción de la pérdida de potencia en las fuentes de alimentación conmutadas, Toshiba continuará ampliando su catálogo de productos de la serie DTMOSVI de 600 V y los lanzamientos previos de la serie DTMOSVI de 650 V.


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