Estos módulos MOSFET SiC MG600Q2YMS3 y MG400V2YMS3 contribuyen a aumentar la eficiencia y reducir el tamaño de equipos industriales.
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) lanza dos nuevos MOSFET Dual Modules de carburo de silicio (SiC).
En primer lugar, el modelo MG600Q2YMS3, con una tensión de 1200 V y una corriente de drenaje de 600 A, y en segundo lugar, el MG400V2YMS3, con una tensión de 1700 V y una corriente de drenaje de hasta 400 A.
Se trata de los primeros productos de Toshiba con estas tensiones y se unen al modelo MG800FXF2YMS3, previamente anunciado, para proporcionar una línea de 1200, 1700 y 3300 V.
Los nuevos módulos ofrecen compatibilidad de montaje con los módulos IBGT de silicio (Si) ampliamente usados. Su baja pérdida de energía satisface las necesidades de mayor eficiencia y menor tamaño en equipos industriales, como convertidores e inversores en vagones y sistemas de generación de energías renovables.
Estos modelos con termistor NTC en un encapsulado 2-153A1A también se pueden emplear en equipos de control de motor y convertidores DC-DC de alta frecuencia.
Las características de los modelos MG600Q2YMS3 y MG400V2YMS3 de 1200 y 1700 V se completan con un aislamiento de Visol de 4000 Vrms y una temperatura de canal de hasta 150 °C.
