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Fotoacopladores para controlar IGBTs y MOSFETs

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Fotoacopladores para controlar IGBTs y MOSFETs

Toshiba Electronics Europe (TEE) ha lanzado una serie de fotoacopladores para controlar IGBTs y MOSFETs de salida con control de puerta de bajo perfil rail a rail de baja y media potencia.

El TLP5751 ofrece una corriente de salida máxima de ± 1,0 A y puede controlar MOSFETs e IGBTs de baja potencia hasta 20 A. El TLP5752 de ± 2,5A y TLP5754 ± 4,0 A controlarán MOSFETs de potencia e IGBTs con corrientes nominales de 80 A y 100 A respectivamente. La temperatura de funcionamiento para ambos es de -40 °C a +110 °C y las aplicaciones objetivo incluyen electrodomésticos, equipos de automatización de fábricas y diseños de inversor donde se requieren altos niveles de aislamiento y un funcionamiento estable a través de un amplio rango de temperaturas.

Todos los nuevos fotoacopladores para controlar IGBTs y MOSFETs se suministran en un encapsulado SO6L de bajo perfil. Este encapsulado es un 54% más bajo que los productos Toshiba que utilizan un encapsulado DIP8 y requiere sólo el 43% del área de montaje en la placa. A pesar de su baja estatura, los dispositivos tienen una línea de fuga garantizada de 8 mm y una tensión de aislamiento de 5 kV.

Debido a que los fotoacopladores para controlar IGBTs y MOSFETs TLP57xx ofrecen salida rail a rail, proporcionan un funcionamiento estable y un rendimiento de conmutación mejorado. La tensión de alimentación es de 15 V a 30 V y la corriente de alimentación máxima es 3,0 mA.

Otras propiedades de los nuevos fotoacopladores para controlar IGBTs y MOSFETs

El TLP5751, TLP5752 y TLP5754 constan de un LED de infrarrojos GaAlAs y alta ganancia integrada, fotodetector de alta velocidad y cuentan con una función de bloqueo de baja tensión (UVLO). Un blindaje Faraday interno asegura una inmunidad transitoria en modo común garantizada de ± 35 kV/ms.

El tiempo máximo de retardo de propagación de 150 ns y una inclinación máxima de retardo de propagación a 80 n.