MOSFET de SiC 5ª generación con 30 % menos de resistencia resume una nueva propuesta para aplicaciones de potencia de alta eficiencia con menor resistencia en conducción a altas temperaturas.
El nuevo MOSFET de SiC de 5ª generación de ROHM amplía la familia EcoSiC con un dispositivo de carburo de silicio (SiC) orientado a sistemas de potencia de alta eficiencia en automoción, centros de datos y equipos industriales.
La principal mejora técnica se centra en una reducción aproximada del 30 % de la resistencia en conducción durante funcionamiento a alta temperatura con Tj de 175 °C, frente a la generación anterior y en las mismas condiciones de tensión de ruptura y tamaño de chip.
Esa disminución de pérdidas favorece el diseño de equipos más compactos y con mayor potencia de salida en aplicaciones exigentes como inversores de tracción para vehículos eléctricos, cargadores de a bordo y fuentes de alimentación para servidores de inteligencia artificial.
Menores pérdidas en conversión de energía para automoción e industria
La nueva generación de MOSFET de SiC responde a la necesidad de mejorar la eficiencia energética en aplicaciones de alta potencia que abarcan desde unos pocos kilovatios hasta varios cientos de kilovatios.
En automoción, su uso resulta especialmente relevante en sistemas de grupos motopropulsores eléctricos, donde la reducción de pérdidas ayuda a aumentar la autonomía y a acelerar la carga.
En infraestructura digital e industrial, la propuesta se dirige a fuentes de alimentación para servidores de IA y a equipos de centros de datos, donde la elevada densidad de potencia exige etapas de conversión más eficientes.
La optimización estructural y del proceso de fabricación permite alcanzar unas pérdidas ultrabajas, un aspecto clave para redes inteligentes, sistemas con energías renovables y arquitecturas donde la conversión y el almacenamiento de energía determinan el rendimiento global.
MOSFET de SiC de 5ª generación para diseños de alta temperatura
ROHM inició el soporte al negocio de chips desnudos con esta tecnología en 2025 y completó el desarrollo en marzo de 2026.
Según el calendario anunciado, el suministro de muestras de dispositivos discretos y módulos con MOSFET de SiC de 5ª generación comenzará a partir de julio de 2026.
La hoja de ruta contempla además la ampliación de la gama con nuevas opciones de tensión de ruptura y encapsulado, junto con herramientas de diseño y soporte a la aplicación.
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