Los nuevos transistores para amplificador de audio con un reducido tamaño proporcionan a los diseñadores la posibilidad de una mayor flexibilidad y alta fidelidad.
Toshiba Electronics Europe anuncia un nuevo transistor bipolar más pequeño para su uso en la etapa Tr de salida de sistemas de audio de alta definición.
Los nuevos transistores para amplificador de audio 2SA1943N y 2SC5200N proporcionan la misma elevada calidad de salida de sonido como los anteriores modelos 2SA1943 y 2SC5200 pero en un encapsulado TO-3P (N) de sólo tres cuartas partes de la anchura y longitud, para reducir el consumo de espacio en comparación con el anterior encapsulado TO-3P (L). Esto proporciona a los diseñadores de productos de audio una mayor flexibilidad, manteniendo al mismo tiempo su encapsulado de potencia (Pc) a 150 W.
Características de los nuevos transistores para amplificador de audio
El transistor 2SA1943N tiene un ratio de tensión máxima tensión de colector-emisor del (VCEO) de -230 V y un ratio de colector continuo de corriente (IC) de -15 A, mientras que el 2SC5200N tiene un VCEO de 230 V y un IC de 15 A.
El transistor 2SA1943N permite un ganancia de corriente DC mínima hFE (1) de 80 (VCE = -5V y IC = -1A) y hFE (2) de 35 (VCE = -5V y IC = -7A), mientras que el 2SC5200N hFE (1) de 80 (VCE = 5V y IC = 1A) y hFE (2) de 35 (VCE = 5V y IC = 7A). Otra ventaja es la alta linealidad de hFE y también VBE. Ambos dispositivos logran una frecuencia de transición típica (ft) de 30 MHz.
Los nuevos transistores para amplificador de audio se encuentran en un nuevo encapsulado TO-3P (N) que mide sólo 15,9 mm por 40,5 mm por 4,8 mm, con los beneficios que supone en la reducción de tamaño y el ahorro de espacio.
