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SJ MOSFET de 700 y 800 V de alta eficiencia

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Nuevos SJ MOSFET de 700 y 800 V de alta eficiencia que se dirigen a televisores, iluminación mediante LED y cargadores rápidos.

MagnaChip Semiconductor anuncia ocho nuevas series de Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (SJ MOSFET) de 700 y 800 V que, combinando rendimiento y eficiencia, están optimizadas para televisores, iluminación mediante led y cargadores rápidos.

MagnaChip comenzó el desarrollo de SJ MOSFET en 2013. Desde entonces, ha suministrado componentes de 600 V a, entre otros, los principales fabricantes coreanos de televisores. Ahora está dando un paso más con el lanzamiento de modelos de alta tensión.

Además, el fabricante, que se ha adentrado en el mercado chino, ofrece los SJ MOSFET de 700 V a los fabricantes de televisores de ese país.

Las unidades de 800 V, por su parte, están diseñadas para sistemas de iluminación led para interiores, cargadores rápidos y otras aplicaciones industriales con tensiones de entrada elevadas o inestables. Incorporan un diodo zener entre la puerta y la fuente con la intención de evitar daños por sobretensión o descarga electrostática y, por lo tanto, aumentar la robustez y la fiabilidad.

MagnaChip también ha reducido la carga de puerta total un 30 por ciento con respecto a versiones anteriores. Esto se traduce en una mejora de eficiencia y estabilidad y una disminución de las pérdidas de conmutación.

SJ MOSFET de 700 y 800 V de alta eficiencia

“Existe una gran demanda de SJ MOSFET de 700 y 800 V y, por ello, estamos muy satisfechos de introducir estos ocho nuevos productos”, destaca YJ Kim, CEO de MagnaChip. “Estas novedades amplían nuestra cobertura de los segmentos de consumo e industriales”.

Periodista de corazón y redactora Jefe desde su fundación en la editorial técnica NTDhoy, S.L. así como freelance para otras publicaciones especializadas. Me gusta el mar, leer y divertirme con mi perro y mis amigos.

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