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Transistor robusto RF de 250 W

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El transistor robusto RF de 250 W titulado BLC2425M10LS250 ofrece una eficiencia del 69 por ciento y soporta VSWR 20:1 en todas las fases.

Transistor robusto RF de 250 WAmpleon ha ampliado su línea de transistores RF LDMOS de elevada potencia para uso en aplicaciones de energía RF de onda continua (CW). El BLC2425M10LS250 ofrece una eficiencia de hasta el 69 por ciento y puede suministrar una salida de hasta 250 W en el rango de 2.400 a 2.500 MHz.

Esta eficiencia, una de las mayores para un LDMOS de su clase, minimiza los requisitos de refrigeración y los costes de operación.

Con un diseño robusto, que puede resistir una disparidad de carga de hasta VSWR 20:1 en todas las fases, posee un encapsulado plástico SOT1270-1 con cavidad de aire y componentes de entrada / salida compartida y protección ante descarga electrostática (ESD).

De este modo, respalda el diseño y la integración de sistema y simplifica la necesidad de circuitería de protección adicional. Además, la operación de banda ancha aporta facilidad de control y flexibilidad.

Donde poder utilizar el nuevo transistor robusto RF de 250 W

El BLC2425M10LS250 está especialmente indicado en una amplia variedad de aplicaciones comerciales, industriales, científicas y sanitarias.

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