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TP65H035G4WSQA FET SuperGaN Gen IV con calificación AEC-Q101

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El FET SuperGaN Gen IV de 35 mΩ y 650 V TP65H035G4WSQA aporta mejoras en rendimiento y densidad de potencia a los vehículos eléctricos.

Transphorm, empresa pionera en productos de conversión de potencia de nitruro de galio (GaN) de alto rendimiento, anuncia que su dispositivo SuperGaN Gen IV de 35 mΩ y 650 V ha completado exitosamente los test de estrés AEC-Q101 del Automotive Electronics Council para semiconductores discretos de grado automoción.

Al igual que se predecesor (Gen III) el FET Gen IV TP65H035G4WSQA está cualificado para una temperatura operativa de hasta 175 °C. Esta temperatura de fusión es 25 °C mayor que la de los MOSFET de silicio y bastante superior a los 125 °C de otras muchas soluciones GaN.

“Con cada generación se su plataforma GaN, Transphorm ha incrementado el rendimiento, la densidad de potencia y la capacidad de producción, todo ello con un precio se acerca al de los dispositivos de silicio”, señala Richard Eden, analista principal de OMDIA.

Ventajas de su implementación en los diseños

Las soluciones GaN de alta tensión responden a los requisitos de los vehículos eléctricos (VE). Por ejemplo, aumentan la eficiencia de la conversión de potencia desde la batería al motor, respaldando el uso de una batería de menores dimensiones para la misma autonomía o con el mismo formato para una autonomía extendida.

Además, los FET GaN operan a frecuencias superiores, lo que se traduce en mayor densidad de potencia en sistemas más ligeros. Estas ventajas benefician los cargadores a bordo (OBC), los convertidores DC/DC y los inversores de tracción, contribuyendo a mejorar la autonomía y la rapidez de la carga. Por lo tanto, la tecnología GaN resulta ideal para los vehículos eléctricos de batería (BEV).

TP65H035G4WSQA FET SuperGaN Gen IV con calificación AEC-Q101

Este encapsulado TO-247 también se distingue por una figura de mérito que muestra entre un 27 y un 38 por ciento de reducción de pérdida de potencia con respecto a un TO-247 similar, una disminución considerable de la interferencia electromagnética (EMI) y un aumento de la inmunidad al ruido (límite de tensión a 4 V).

Por lo tanto, el TP65H035G4WSQA respalda una conmutación más silenciosa y un mayor rendimiento con elevados niveles de corriente con mínima circuitería externa en comparación con otros dispositivos GaN.

Existe más información del FET SuperGaN en este enlace o en sus distribuidores internacionales:

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