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Relés MOSFET con circuito de tipo T

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Gracias a reducir hasta prácticamente cero la pérdida de corriente, estos relés MOSFET con circuito de tipo T dotan al equipamiento de pruebas de una mayor fiabilidad y disponibilidad

Omron presenta su nueva serie de relés G3VM, basada en la tecnología MOSFET, y constituida por, literalmente, centenares de modelos de entre los cuáles elegir, y que se encuentran disponibles a través del distribuidor Rutronik.

Gracias a su amplia variedad de dispositivos, esta serie permite a los diseñadores y fabricantes de sistemas cumplir, de manera flexible, con requisitos muy diversos.

Uno de estos modelos, concretamente el G3VM-21MT pasa por ser el primer relé MOSFET del mundo con una estructura de circuito de tipo T. Con este tipo de estructura de circuito, puede hacer que la pérdida de corriente en un relé de estado sólido tienda a cero (máximo 1 pA), mejorando de esta form la fiabilidad del equipamiento de pruebas.

Además, estos relés MOSFET con circuito de tipo T presentan una vida operativa más larga, con lo cual reducen el tiempo fuera de servicio (downtime) del dispositivo al que equipan por tareas de mantenimiento, e incrementan su disponibilidad.

En la misma serie G3VM también está incluido el encapsulado VSON G3VM61UR1 de tamaño extremadamente pequeño, el cual presenta una baja capacitancia de salida y una escasa resistencia forward. Esto facilita el diseño de un tamaño especialmente reducido.

El rango de temperaturas operativas soportadas por este dispositivo es también muy amplio, yendo desde los -40 grados centígrados hasta los +110. Por ello se utiliza principalmente en aplicaciones de pruebas de semiconductores y en tecnología de medición, de comunicaciones, y de almacenamiento de datos.

Por otro lado, el encapsulado SOP de cuatro pines del modelo G3VM351VY presenta una gran estabilidad a un alto voltaje de carga de 350 V, una corriente continua de carga de 110 mA, y una fuerza eléctrica de hasta 3,75 kV.

Donde se pueden utilizar estos componentes electrónicos

Relés MOSFET con circuito de tipo T

Estas características permiten su uso en entornos industriales y en aplicaciones de seguridad, así como en circuitos de potencia y en dispositivos de entretenimiento multimedia basados en una batería para su alimentación.

Una distancia de aislamiento de tan sólo 5 mm permite posicionarlo de una forma que facilite el ahorro de espacio, para aplicaciones en las que este sea un factor clave.

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