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PIN Photo Diode basados en InGaAs/InP

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PIN Photo Diode basados en InGaAs/InP

Marktech Optoelectronics ha introducido su línea de componentes PIN Photo Diode basados en tecnología InGaAs/InP. Estos dispositivos se encuentran disponibles en un encapsulado flat top TO-46 con sensibilidad espectral en el rango de 800 a 1750 nm.

Los tamaños de área activa del chip PIN Photo Diode de 0.1 a 3 mm ofrecen el balance óptimo entre baja corriente oscura, alta velocidad y sensibilidad para incrementar la flexibilidad y las opciones en una amplia variedad de aplicaciones, desde comunicaciones de fibra óptica a análisis sanitarios y químicos.

La TE (Thermal Electric) Cooling no integrada se utiliza en cualquier PIN Photo Diode de Marktech con la finalidad de reducir los costes y aumentar la eficiencia. También están disponibles opciones con encapsulado a medida y die.

La compañía también suministra servicios de fundición para obleas SWIR (con diámetros de 2, 3 y 4”) en el rango de 1 a 2.6 µm, usando material InP como sustrato base.

Entre las aplicaciones para estas obleas destacan fotodetectores, arrays lineales y sensores de imagen.