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MOSFETs de potencia AONR66820 y AONS66811

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Con un rendimiento mejorado respecto a la generación precedente, los MOSFETs de potencia AONR66820 y AONS66811 también presentan una huella de menor tamaño.

Alpha and Omega Semiconductor, compañía especializada en el diseño, desarrollo y distribución de semiconductores, lanza al mercado los AONR66820 y AONS66811, dos nuevos MOSFETs de potencia que disponen de tecnología Shield Gate.

La tecnología Shield Gate es patentada por AOS, y está optimizada para su uso en las frecuencias de conmutación más altas empleadas en el ámbito de las telecomunicaciones y la alimentación de los servidores para conseguir una mayor eficiencia en comparación con la generación precedente.

Esta nueva generación de MOSFETs de potencia AONR66820 y AONS66811 tienen una ratio de 80 V y presentan unas pérdidas de conmutación menores en hard switching, topologías y tienen también una menor sobreoscilación de voltaje que en la generación precedente.

Este rendimiento mejorado desde la operativa de carga ligera y a través del rango de resultados de carga, redunda en opciones de diseño más simples para aplicaciones de alta eficiencia.

La familia de dispositivos MOSFET de 80 V ofrece los niveles más altos de densidad de potencia y eficiencia energética, los cuales son esenciales en aplicaciones de energía solar, fuentes de alimentación, y alimentación por baterías como, por ejemplo, las correspondientes a scooters eléctricos.

Detalles importantes en cada modelo

El AONR66820 se presenta en un encapsulado DFN3.3×3.3 y está perfectamente preparado para su uso en conversores CC-CC aislados utilizados en aplicaciones de telecomunicaciones, mientras que el AONS66811 se entrega en un encapsulado DFN 5×6 y es apropiado para rectificación síncrona.

También proporciona una carga inversa de recuperación mejorada y un exceso de voltaje reducido que proporciona una mayor eficiencia y mayor robustez en la alimentación energética.

MOSFETs de potencia AONR66820 y AONS6681

El AOTL66810 de 80 V en encapsulado TOLL presenta una huella que es aproximadamente un 25% más pequeña que en el caso del encapsulado TO-263 (D2PAK) conectado mediante cable estándar.

Este nuevo dispositivo ofrece una mayor densidad de potencia en comparación con las soluciones existentes, y es idóneo para las aplicaciones de motores BLDC industriales y la administración de baterías para reducir el número de MOSFETs en paralelo.

Podemos encontrar toda la información técnica sobre el AOTL66820 en este documento PDF, al igual que también lo tenemos para el AONS66811.

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