Ayudan a incrementar la eficiencia y a simplificar el diseño de fuentes de alimentación en inversores solares y vehículos eléctricos, enterprise computing y controladores de motores industriales.
STMicroelectronics, uno de los mayores fabricantes de semiconductores, ha anunciado una nueva familia de MOSFET SiC de potencia que permiten que los diseñadores de fuentes de alimentación incrementen la eficiencia en numerosas aplicaciones, inversores solares y vehículos eléctricos, enterprise computing y controladores de motores industriales.
ST es una de las primeras compañías en producir MOSFET SiC de potencia (carburo de silicio) de elevada tensión con un rango de temperatura de hasta +200 °C. Las propiedades del SiC ayudan a reducir un 50 por ciento la energía consumida con transistores de potencia de silicio convencionales. También aporta mejoras en miniaturización y reducción de coste.
En salas informáticas y centros de datos, los responsables de TI se enfrentan a la demanda continua de una mayor eficiencia y un menor coste. El reemplazo de switches de silicio por dispositivos SiC en fuentes de alimentación bulk contribuye a aumentar la Power Usage Effectiveness (PUE), una variable definida por The Green Grid como instrumento para medir la eficiencia de los centros de datos.
Los MOSFET SiC de potencia también se pueden emplear en inversores solares como alternativa a los IGBTs de silicio a la hora de convertir la salida DC del panel en alimentación AC de alta tensión de la fuente, sin necesidad de circuitería especial.
Además, al operar con frecuencias superiores a las de los IGBTs, los nuevos MOSFET SiC ayudan a los diseñadores a miniaturizar otros componentes de la fuente de alimentación y, por lo tanto, a reducir coste y tamaño e incrementar la eficiencia.
Los vehículos eléctricos también ofrecen buenas perspectivas para la tecnología SiC, ya que su mayor rango de temperatura (hasta +200 °C) simplifica el diseño del sistema de refrigeración.
Otras características de los nuevos MOSFET SiC de potencia
Por ejemplo, el nuevo MOSFET SCT30N120 de 1200V, que se encuentra disponible en encapsulado HiP247, se caracteriza por resistencia RDS(ON) de 80 mΩ a +25 °C y 100 mΩ en todo el rango de temperatura operativa, y corriente de fuga por debajo de 10 µA.
