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MOSFET SiC de 1700 V para aplicaciones de control de potencia

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El nuevo MOSFET SiC de 1700 V para aplicaciones de control de potencia LSIC1MO170E1000 se puede usar en vehículos eléctricos / híbridos, centros de datos y fuentes de alimentación auxiliares.

MOSFET SiC de 1700 V para aplicaciones de control de potenciaMouser Electronics, el distribuidor mundial autorizado con los más nuevos semiconductores y componentes electrónicos, informa que su representada Littelfuse ha ampliado su catálogo de MOSFET SiC con el modelo LSIC1MO170E1000 de 1700 V, que respalda a los modelos de 1200 V LSIC1MO120E0120 y LSIC1MO120E016 y a los diodos Schottky. Los usuarios finales se beneficiarán de “sistemas más compactos, eficientes y económicos”.

Las mejoras en eficiencia de las tecnologías MOSFET SiC aportan ventajas a múltiples aplicaciones, destacando vehículos eléctricos / híbridos, centros de datos y fuentes de alimentación auxiliares.

En comparación con IGBT Si similares, el LSIC1MO170E1000 aporta grandes oportunidades de optimización de sistema, como aumento de eficiencia y densidad de potencia y reducción de requisitos de refrigeración y costes.

“El nuevo producto ayuda a incrementar las prestaciones de aplicaciones existentes y futuras”, afirma Michael Ketterer, Global Product Marketing Manager de Littelfuse. “Los MOSFET SiC dotan de una alternativa a los transistores basados en silicio. Su estructura ayuda a minimizar la pérdida y maximizar la eficiencia de carga con respecto a otras soluciones”.

Otras propiedades del nuevo MOSFET SiC de 1700 V para aplicaciones de control de potencia

El LSIC1MO170E1000, que se suministra en un encapsulado TO-247-3L, también se caracteriza por reducción de carga de puerta, capacitancia de salida y resistencia de carga con conmutación de alta frecuencia.

Resulta idóneo en inversores solares, SAIs, controladores de motor, convertidores DC/DC de alta tensión y sistemas de calefacción por inducción.

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