El nuevo MOSFET GaN vertical con corriente operativa de 100 A es un dispositivo de alimentación ideal en conversión de potencia en electrodomésticos, movilidad, industria y otros muchos campos.
Toyoda Gosei desarrolla un dispositivo semiconductor de alimentación MOSFET GaN vertical con una corriente operativa de 100 A en un solo chip, uno de los niveles más elevados de la industria.
Los power devices son componentes electrónicos usados en conversión de potencia en electrodomésticos, movilidad, industria y otros muchos campos. La expansión de los vehículos electrificados y las energías renovables ha hecho crecer la demanda de estos dispositivos con mayor rendimiento.
Con el silicio utilizado en dispositivos convencionales resulta difícil aumentar la eficiencia al convertir elevada potencia. Por ello, Toyoda Gosei emplea GaN (Nitruro de Galio), un material con la propiedad física de elevado breakdown voltage, y una estructura de chip en la que la electricidad “fluye” verticalmente en el sustrato de GaN.
Esta combinación fomenta la llegada de soluciones más delgadas y compactas y otras mejoras que contribuyen a incrementar las prestaciones.
Así, este MOSFET GaN vertical, que dobla la capacidad de corriente eléctrica del anterior chip de 50 A, cuenta con una nueva capa de distribución que reduce la resistencia al ampliar el flujo de electricidad en la capa de deriva.
