Se presenta una nueva memoria CBRAM de 512 Kb para proyectos militares y aeroespaciales que ofrece una solución no volátil (NVM) de ultra bajo consumo para aplicaciones de muy alta fiabilidad.
Teledyne e2v ha anunciado la disponibilidad de la nueva memoriaCBRAM de 512 Kb TDRM24C512C-L, una memoria no volátil (NVM) de ultra bajo consumo basada en tecnología RAM resistiva que se puede usar en aplicaciones militares y aeroespaciales.
La TDRM24C512C-L utiliza la tecnología CBRAM (Conductive Bridging RAM) de Adesto Technologies y ofrece a los diseñadores de sistema una alternativa eficiente a EEPROM serie legacy.
Ha sido diseñada en un proceso que ha demostrado su tolerancia a la radiación, resultando ideal en satélites y otras aplicaciones de gran altura.
“Teledyne e2v proporciona múltiples tipos de semiconductores calificados para muy diversos entornos”, afirma Mont Taylor, VP Business Development Manager de Teledyne e2v. “Estamos muy satisfechos de poder incorporar tecnología CBRAM a nuestra oferta de productos y suministrar una memoria de ultra bajo consumo que ayuda a aumentar la eficiencia y ahorrar coste en proyectos con satélites”.
Otros detalles en la memoria CBRAM
Esta memoria resistiva de alta fiabilidad tiene una resistencia de 100K ciclos de escritura y una retención de datos de más de 40 años a +125 °C. Se encuentra disponible en un encapsulado plano cerámico (CFP) de 10-lead.
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