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LED die con tecnología GaN-on-Si

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LED die con tecnología GaN-on-Si

Plessey ha desarrollado un die LED basado en tecnología GaN-on-Si que se beneficia de las tres grandes ventajas del proceso de la compañía: baja resistencia térmica del silicio, diseño de emisor con superficie única y oblea de 6”.

Para sacar el máximo partido de estos beneficios, Plesey ha creado un diseño de die de 20 mm² (por ejemplo 4.5 x 4.5 mm) que genera hasta 5 W de luz azul sobre una longitud de onda de 400-480 nm.

Esta tecnología GaN-on-Si ayuda a los clientes en múltiples productos, como Chip-on-Board (CoB), a la hora de ofrecer una emisión de luz más sencilla y uniforme y reducir el calentamiento. La baja resistencia térmica del sustrato de silicio facilita la gestión y aumenta la fiabilidad con una operación de baja temperatura.

El die utiliza una estructura de diseño vertical con un cátodo en la parte superior y un ánodo en la parte inferior. La oblea de 6”, por su parte, aporta uniformidad en muy diversas aplicaciones de iluminación.

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