Teledyne e2v HiRel agrega dos nuevos HEMT de potencia GaN reforzados (transistores de alta movilidad de electrones) a su familia de productos de alta potencia de 650 voltios, basados en la tecnología de GaN Systems.
Los dos nuevos HEMT de alta potencia, modelos TDG650E30B y TDG650E15B, ofrecen un rendimiento de corriente más bajo de 30 y de 15 A, respectivamente, mientras que el 650 V original, presentado el año pasado, el TDG650E60, ofrece 60 A.
Estos HEMT de GaN de 650 V son los dispositivos de potencia de GaN de voltaje más alto disponibles en el mercado para aplicaciones exigentes militares, de aviónica y espaciales de alta fiabilidad. Son ideales para aplicaciones como fuentes de alimentación, control de motores y topologías de medio puente.
Vienen con una configuración de enfriamiento en la parte inferior y cuentan con un troquel FOM Island Technology ultrabajo, encapsulado GaNPX de baja inductancia, conmutación de muy alta frecuencia mayor que 100 MHz, tiempos de subida y bajada rápidos y controlables, capacidad de corriente inversa y otras propiedades interesantes.
Funcionamiento de los transistores de potencia
Para empezar, el TDG650E15B y el TDG650E30B son transistores de potencia GaN-on-Silicon de modo de mejora que permiten alta corriente, ruptura de alto voltaje y alta frecuencia de conmutación, al tiempo que ofrecen una resistencia térmica de unión a caja muy baja para aplicaciones de alta potencia.
Por esto, el lanzamiento de estos nuevos HEMT de GaN ofrece a los clientes los beneficios de eficacia, tamaño y densidad de potencia necesarios en aplicaciones de energía aeroespaciales y de defensa críticas.
Para todas las líneas de productos, Teledyne e2v HiRel realiza la calificación y las pruebas más exigentes adaptadas a las aplicaciones de mayor confiabilidad. Para los dispositivos de potencia, este régimen incluye prueba de sulfúrico, simulación de gran altitud, quemado dinámico, estrés escalonado hasta 175 °C de temperatura ambiente, voltaje de compuerta de 9 V y prueba de temperatura completa.
A diferencia de los dispositivos de silicio sobre carburo (SiC), estos dos dispositivos se pueden implementar fácilmente en paralelo para aumentar la corriente de carga o reducir el RDSon efectivo.
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