Inicio Componentes activos HEMT de potencia GaN de 650 V para proyectos espaciales

HEMT de potencia GaN de 650 V para proyectos espaciales

1194
0

Nuevo HEMT de potencia GaN de 650 V para proyectos espaciales que se suministra en versiones con refrigeración en las partes superior e inferior, lo que mejora su rendimiento.

Teledyne e2v HiRel lanza un nuevo transistor de alta movilidad de electrones (HEMTHigh Electron Mobility Transistor) de potencia de 650 V / 60 A que se basa en la tecnología de GaN Systems.

El nuevo TDG650E60 se convierte en el dispositivo de potencia GaN con “mayor tensión del mercado para aplicaciones militares y espaciales de alta fiabilidad” y ahora incluye opciones de refrigeración en las partes superior e inferior (top-side y bottom-side).

Los dispositivos de nitruro de galio (GaN) están revolucionando la conversión de potencia en otras industrias y ahora se suministran con encapsulados plásticos tolerantes a la radiación que superan los estrictos requisitos de misiones críticas.

Por esto, el lanzamiento del TDG650E60 pretende dotar a los clientes de la eficiencia, el pequeño formato y la densidad de potencia requeridos en proyectos militares y aeroespaciales.

Teledyne e2v HiRel lleva a cabo los test de cualificación requeridos por la industria para garantizar la máxima fiabilidad. Las pruebas incluyen test sulfúrico, simulación de altura, estrés de paso a +175 °C, tensión de puerta de 9 V y test de temperatura total.

Características importantes en el transistor de 650 V

HEMT de potencia GaN de 650 V para proyectos espaciales

En principio, el TDG650E60 GaN Power HEMT tiene un formato extremadamente compacto y se beneficia de la tecnología patentada Island Technology de GaN Systems, que ofrece un sistema de disipación de carga vertical y escalable que aporta mejoras en disminución de pérdidas térmicas, densidad de potencia, almacenamiento sin carga y velocidad de conmutación.

Además, a diferencia de los dispositivos de carburo de silicio (SiC), el TDG650E60 se pueden implementar en paralelo para incrementar la corriente de carga o reducir la RDS(on). El uso de la tecnología de encapsulado GANpx permite disminuir el tamaño y el peso de la electrónica de potencia.

“Este nuevo dispositivo ayuda a los ingenieros de diseño a crear fuentes de alimentación y controladores de motor pequeños y eficientes que pueden rendir en entornos de alta radiación, como el espacio”, concluye Mont Taylor, vicepresidente de Teledyne e2v HiRel.

Dejar una respuesta

Please enter your comment!
Please enter your name here

Este sitio usa Akismet para reducir el spam. Aprende cómo se procesan los datos de tus comentarios.