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FET GaN de 900 V para productos de energía

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El FET GaN de 900 V TP90H050WS se dirige a entornos industriales e instalaciones de energías renovables.

Mouser Electronics, distribuidor global autorizado con los semiconductores y componentes electrónicos más nuevos, anuncia que el modelo TP90H050WS de Transphorm, su segundo FET de nitruro de galio (GaN) de 900 V (tras el TP90H180PS), ya se encuentra en fase de producción. Este dispositivo ofrece una resistencia (on-resistance) típica de 50 mΩ con una ratio de transitorios de un kV y ahora posee la calificación JEDEC.

Entre las aplicaciones a las que se dirige este FET se encuentran entornos industriales y energías renovables, incluyendo inversores fotovoltaicos, sistemas de carga de batería, SAI, iluminación y almacenamiento de energía. Además, Transphorm está trabajando para que sus productos de 900 V puedan rendir en instalaciones trifásicas.

Este transistor normalmente apagado de dos chips aporta una robustez de puerta de ±20 V en un encapsulado TO-247 estándar, contribuyen así a incrementar la fiabilidad y la capacidad de diseño de los sistemas de alimentación.

La combinación de la tecnología GaN de alta velocidad y el encapsulado TO-247 permite alcanzar una eficiencia superior al 99 por ciento y generar hasta 10 kW de potencia en configuraciones de medio puente con PFC totem-pole sin puente.

“Nuestra plataforma de 900 V demuestra la capacidad de los transistores GaN de alta tensión”, destaca Philip Zuk, Vicepresidente de Marketing y Ventas de Transphorm. “Este FET GaN de 900 V permite soportar aquellas aplicaciones a las que no podíamos acceder previamente”.

Ejemplo de aplicación

El Illinois Institute of Technology (IIT) ya está utilizando el TP90H050WS en un programa ARPA-E Circuits donde se combina el FET de Transphorm con las topologías de conmutación en estado sólido del IIT. El proyecto pretende crear disyuntores en estado sólido (SSCB) fiables para microrredes de energías renovables. Incluye el desarrollo de un SSBC bidireccional, inteligente, programable y autónomo que usa los dispositivos GaN de 900 V.

FET GaN de 900 V para productos de energía

Tarjeta de evaluación

Transphorm también suministra una tarjeta de evaluación de inversor DC a AC para reducir los esfuerzos de desarrollo. Diseñada usando cuatro FET de 170 mΩ TP90H180PS, el TDINV3500P100-KIT emplea una topología full bridge para respaldar los sistemas de inversores monofásicos que operan a 100 kHz.

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