Los nuevos FET de potencia SuperGaN de alta tensión son dispositivos que combinan elevado rendimiento, facilidad de diseño y bajo coste.
Mouser Electronics, distribuidor global autorizado con los semiconductores y componentes electrónicos más nuevos, anuncia la adición de nuevos FET de potencia SuperGaN de alta tensión de Transphorm con la disponibilidad de su plataforma de nitruro de galio (GaN) Gen IV que, beneficiándose de las últimas tecnologías, aporta “mejoras en rendimiento, capacidad de diseño y coste” en comparación con anteriores generaciones.
La compañía también anuncia que esta y las futuras generaciones de la plataforma se denominarán tecnologías SuperGaN.
Los primeros FET de potencia SuperGaN son los modelos TP65H300G4LSG, un FET GaN con la calificación JEDEC de 650 V y 240 mΩ en encapsulado PQFN88, y TP65H035G4WS, un FET GaN de 650 V y 35 mΩ en TO-247.
Ambas unidades se dirigen a adaptadores, servidores, telecomunicaciones, entornos industriales y energías renovables.
Además, los diseñadores de sistema pueden evaluar la tecnología mediante el TDTTP4000W066C-KIT, una tarjeta de evaluación AC-DC de polo tótem sin puente de 4 kW de Transphorm.
Beneficios de los FET de potencia SuperGaN Gen IV
- Rendimiento: Gen IV ofrece una curva más plana y superior con una figura de mérito (RON*QOSS) de alrededor del 10 por ciento.
- Facilidad de diseño: Gen IV aporta simplicidad de diseño al eliminar la necesidad de un circuito de amortiguación de nodo de conmutación con elevadas corrientes operativas.
- Capacidad de corriente inrush mejorada (di/dt): Gen IV elimina los límites de corriente de conmutación para la función de diodo freewheeling en medios puentes.
- Reducción de coste: la tecnología patentada también simplifica el ensamblaje, con la consecuente disminución de coste.
- Aumento de robustez / fiabilidad: los FET de 35 mΩ proporcionan la misma robustez de puerta (de ±20 Vmax) e inmunidad al ruido (de 4 V) que los dispositivos Gen III de Transphorm.
