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Transistor de potencia GaN

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Transistor de potencia GaNMACOM Technology Solutions ha presentado su nuevo transistor de potencia GaN MAGe-102425-300 de 300 W de tipo SMD en silicio.

Se entrega en un empaquetado plástico de bajo coste y rugerizado, optimizado para su uso en aplicaciones comerciales de energía de radiofrecuencia.

Está basado en la cuarta generación de la tecnología GaN de MACOM, entregando un mayor rendimiento que sus predecesores, y que desafía la eficiencia y las limitaciones de densidad de la LDMOS a un precio equivalente si se fabrica en volumen.

La intersección del rendimiento GaN y el coste de las estructuras de silicio ejemplificado en este mismo transistor de potencia GaN, permite abrir una oportunidad para apalancar la energía de radiofrecuencia en estado sólido como una fuente de potencia y calor altamente eficiente y precisa para poder utilizarla en un amplio rango de aplicaciones comerciales incluyendo: hornos de microondas, ignición en automoción, sistemas de iluminación, sistemas industriales, y aplicaciones médicas y científicas que incluyan iluminación por radiofrecuencia de plasma, material de secado, calentamiento de sangre y tejidos, etc.

Los dispositivos de radiofrecuencia que sustentan estos sistemas deben lograr un balance óptimo de rendimiento, eficiencia energética, pequeño tamaño, y fiabilidad, todo ello a un precio que facilite su adopción comercial.

Futuro para el transistor de potencia GaN

Proporciona una potencia de salida de 300 W a un 70% de eficiencia a 2,45 GHz, cumple con los requisitos técnicos fundamentales para la próxima generación de amplificadores de potencia propuesta por la RF Energy Alliance.

Esta última es una organización técnica sin ánimo de lucro dedicada a dar salida a todo el potencial de la energía de radiofrecuencia.

Mientras, el coste de la estructura y los beneficios del volumen de la cadena de suministro conseguidos gracias a la cuarta generación de la tecnología GaN de MACOM, posicionan al MAGe-102425-300 para conseguir agresivos costes de objetivo a la par con LDMOS.

El nuevo transistor será exhibido en el International Microwave Symposium de San Francisco.

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