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Diseño de referencia de adaptador GaN USB-C PD de 65 W

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Este diseño de referencia de adaptador GaN USB-C PD de 65 W ofrece una densidad de potencia de 30 W por pulgada cúbica y una eficiencia del 94,5 por ciento.

Transphorm, proveedor de productos de conversión de energía de nitruro de galio (GaN), y Silanna Semiconductor anuncian un diseño de referencia de adaptador de potencia GaN que resulta ideal para alimentar ordenadores portátiles, tabletas, teléfonos móviles y dispositivos IoT.

La solución es un cargador USB-C Power Delivery (PD) de 65 W open frame que combina la plataforma SuperGaN Gen IV de Transphorm con el controlador PWM Active Clamp Flyback (ACF) de Silanna Semiconductor. Alcanza una densidad de potencia de 30 W por púlgada cúbica.

Este nivel de rendimiento, este nuevo diseño de referencia de adaptador GaN USB-C PD de 65 W “supera al de otras alternativas disponibles que usan MOSFET superjunction de silicio o transistores GaN e-mode”. Además, se utiliza un FET SuperGaN de menores dimensiones de Transphorm: el TP65H300G4LSG de 650 V y 240 mΩ en un encapsulado PQFN88 estándar.

El FET GaN también ofrece la elevada fiabilidad de los productos de Transphorm. Y, a diferencia de los dispositivos e-mode, la circuitería externa de protección, como carriles bias adicionales y level shifters, ya no resulta necesaria. Esto se traduce en una mejora en la eficiencia (94,5 por ciento).

Diseño de referencia de adaptador GaN USB-C PD de 65 W

El SZ1130 de Silanna Semiconductor es el primer controlador PWM ACF en integrar un controlador PWM digital adaptable, un Active Clamp FET, un Active Clamp Gate Driver y un regulador UHV Startup.

Como una solución ACF, el SZ1130 ofrece un diseño sencillo en el área de PCB más compacta entre todos los controladores ACF del mercado.

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