Los nuevos MOSFET de canal P XPH8R316MC y XPH13016MC ayudan a aumentar el rendimiento y reducir el consumo de energía en entornos adversos.
Toshiba Electronic Europe anuncia la disponibilidad de dos MOSFET de canal P de 60 V que, basados en su proceso U-MOS VI, son ideales en aplicaciones del sector de la automoción, como interruptores de carga, relés y accionamientos de motor.
Con la calificación AEC-Q10, los nuevos modelos XPH8R316MC y XPH13016MC se presentan en un encapsulado de montaje superficial SOP Advance(WF) con estructura de terminal wettable flank.
Fiabilidad y eficiencia
Estos MOSFET ayudan a facilitar la inspección óptica automatizada (AOI) de las juntas de soldadura, un aspecto esencial a la hora de garantizar la fiabilidad en entornos adversos, como los encontrados en automoción.
Una ventaja adicional es la conectividad de cobre del encapsulado, que permite reducir la resistencia del encapsulado, aumentar la eficiencia y disminuir la generación de calor.
El XPH8R316MC está diseñado para operar con una corriente de drenaje (ID) continua de 90 A, en tanto que el XPH13016MC puede rendir con una ID de 60 A. La corriente de drenaje pulsada (IDP) es el doble de esos valores: 180 y 120 A, respectivamente.
Ambas novedades también se distinguen por una tensión de drenaje-fuente (VDSS) de 60 V y son capaces de funcionar con temperaturas de canal (Tch) de hasta +175 °C.
La máxima RDS(ON) del XPH8R316MC es de 8,3 mΩ, que es aproximadamente un 25 por ciento menor que la del modelo TPCA8123 de Toshiba. Para el XPH13016MC, el valor alcanza 12,9 mΩ, un 49 por cinto más bajo que el del TPCA8125. Estas RDS(ON) contribuyen a minimizar el consumo de energía en aplicaciones a bordo de vehículos.
Los nuevos dispositivos ya se encuentran en fase de producción masiva.
Para obtener más información de los MOSFET puedes ponerte en contacto con el “Servicio al lector de NTDhoy”.
