Los transistores de ultra bajo ruido con el respaldo de la plataforma CMOS de 180 nm son ideales en amplificadores de micrófonos analógicos o digitales y dispositivos médicos implantables.
X-FAB ha ampliado su catálogo de transistores de bajo ruido basados en tecnología CMOS de señal mixta XH018 de 180 nm. Las tres novedades son un NMOS de 1.8 V, un NMOS de 3.3 V y un PMOS de 3.3 V, todas ellas reducen drásticamente el ruido en comparación con CMOS estándar.
Los nuevos transistores han sido diseñados para despliegues de sensor que requieren amplificación de señal de bajo ruido para lograr la relación de señal a ruido (SNR) demandada. Entre las aplicaciones se encuentran los amplificadores de micrófonos analógicos y digitales usados en teléfonos móviles y auriculares, así como dispositivos médicos implantables, como marcapasos.
El NMOS de bajo ruido y 1.8 V mejora ocho veces la figura de ruido del dispositivo XH018 estándar, en tanto que el modelo NMOS de 3.3 V reduce diez veces el ruido. La versión PMOS de 3.3 V complementa a los otros dos en todas las corrientes de fuga.
El ruido e centelleo (flicker noise), conocido como ruido 1/f, es el dominante en bajas frecuencias de 1 Hz a 1 MHz. Por ello, las aplicaciones que operan en este espectro deben mantenerlo al mínimo para alcanzar las máximas prestaciones.
Al usar los nuevos transistores de ultra bajo ruido, los diseñadores pueden conseguir una elevada NSR como, por ejemplo, requieren los IC amplificadores digitales. Los profesionales también se benefician de mayor precisión en el formato BSIM4. Así, se facilita la implementación de circuitos analógicos complejos.
Luigi Di Capua, Director de Marketing de X-FAB, comenta que “nuestra compañía ha establecido estándares en rendimiento de bajo ruido con la tecnología de 350 nm desde hace años. Ahora, ofrecemos dispositivos de bajo ruido con el respaldo de la plataforma XH018 de 180 nm. Al añadir una capa de máscara extra, las tres novedades se pueden incorporar en diseños de circuitos sensibles al ruido”.
Diseñando con los transistores de ultra bajo ruido
Los nuevos transistores CMOS de bajo ruido de 180 nm, integrados en el kit de diseño de proceso (PDK), ya se encuentran disponibles.
