Sumitomo Electric ha desarrollado transistores SiCde superunión V-groove mediante un proyecto conjunto con el Instituto Nacional de Ciencia y Tecnología Industriales Avanzadas (AIST) en el que han usado semiconductores de carburo de silicio (SiC) y alcanzado la mínima resistencia on-state (1,170 V / 0.63 mΩ∙cm2).
Sumitomo Electric ya había creado anteriormente MOSFET V-groove (VMOSFET), que utilizan una orientación de plano particular (0-33-8) para el canal que pone en marcha / para el flujo de electrones, formando una interfaz de película de óxido con mínimos defectos y logrando una resistencia on-state baja. El rendimiento con pocos defectos de los transistores contribuye a estabilizar las variaciones de tensión que impiden el empleo de transistores SiC.
Como detalle a destacar, ofrecen la mínima resistencia on-state del mercado
Futuro para los transistores SiC de próxima generación
Ahora, el fabricante está trabajando para comercializar VMOSFET que utilizan la línea de producción para obleas SiC de 6” que AIST y Sumitomo Electric construyen.
De esta forma, la resistencia del canal se ha reducido al introducir una estructura de canal V-groove. Sumitomo Electric adopta una estructura de superunión para disminuir la resistencia on-state. Se trata de una tecnología destinada a reducir la resistencia de la capa de tensión (drift layer) que se dedica a transistores de silicio. Sin embargo, se mantiene una fase de verificación por los problemas en los métodos de producción.
Además, el fabricante Sumitomo tiene previsto promover la comercialización de dispositivos con baja resistencia para incrementar la eficiencia en la conversión de potencia, “contribuyendo a mejorar el medio ambiente y fomentar una sociedad con bajas emisiones de dióxido de carbono”.
