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Transistores de potencia para estaciones base

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Transistores de potencia para estaciones base MACOM ha presentado su nueva serie MAGb de transistores de potencia para estaciones base, pensados para su uso en estaciones base macro para conexiones wireless, de la cual ha mostrado sus dos primeros ejemplares.

El MAGB-101822-120B0S es el primero de estos productos, y cubre 500 MHz de RF en la banda entre los 1,7 y los 2,2 GHz. Está encapsulado en un pequeño empaquetado cerámico AC-400, y entrega sobre unos 160 W de pico de potencia y un pico de eficiencia del 74% con solamente un ajuste fundamental y ganancia lineal sobre los 19 dB a través de la banda de los 500 MHz.

El segundo de esta serie de transistores de potencia para estaciones base es el MAGB-101822-240B0S, el cual presenta el doble de potencia de salida que en el anterior caso (el MAGB-101822-120B0S), con un pico de potencia de sobre los 320 W, una ganancia lineal de 19 dB, y un pico de eficiencia que ronda el 72% con solamente un ajuste fundamental. Este último ejemplar se encuentra encerrado en un encapsulado cerámico AC-780.

La eficiencia máxima de ambas partes puede ser mejorada a un valor muy por encima del 80% cuando los dispositivos son presentados con las terminaciones armónicas apropiadas.

Aprovechando la tecnología GaN de cuarta generación de MACOM, esta nueva serie de transistores de potencia para estaciones base es la primera que se lanza comercialmente habiendo sido optimizada para estaciones base.

Aplicación directa en los transistores de potencia para estaciones base

La serie MAGb se dirigen a todas las bandas para telefonía celular que se encuentren entre las frecuencias de los 1,8 y los 3,8 GHz. Presentan una mejora en la eficiencia de potencia de hasta el 10%, con una reducción del empaquetamiento de más del 15% sobre las ofertas LDMOS legacy.

Al estar basados en la cuarta generación de tecnología linear, estos transistores son más fáciles de linearizar y corregir con esquemas pre-distorsión digital (DPD por sus siglas en inglés) si los comparamos con las otras tecnologías GaN.

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