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Transistores HEMT GaN con elevada densidad de potencia

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Los transistores HEMT GaN con elevada densidad de potencia CoolGaN permiten una conmutación de alta velocidad en diseños compactos.

Mouser Electronics, una filial de TTI, y distribuidor global de semiconductores y componentes electrónicos, anuncia la disponibilidad en stock de los transistores de alta movilidad de electrones (HEMT) de nitruro de galio (GaN) CoolGaN de su representada Infineon Technologies que, ofreciendo mejoras en eficiencia y densidad de potencia, facilitan una conmutación rápida en fuentes de alimentación de semiconductores.

Ideales en topologías de conmutación dura y blanda, los HEMT CoolGan se pueden emplear en soluciones de carga inalámbrica, fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), telecomunicaciones, centros de datos hiperescala y servidores.

Estos transistores HEMT GaN se han diseñado para dotar de mejoras en comparación con dispositivos de conmutación de silicio. Los CoolGaN HEMT ofrecen una carga de salida y de puerta diez veces menos que los transistores de silicio, así como un breakdown field diez veces mayor y el doble de movilidad.

Optimizados para encendido y apagado, estos modelos tienen nuevas topologías y modulación de corriente para respaldar soluciones de conmutación innovadoras. Además, el encapsulado de montaje superficial garantiza la accesibilidad de las capacidades de conmutación, mientras que el formato compacto resulta idóneo en aplicaciones con limitaciones de espacio.

Placas de evaluación para los transistores HEMT GaN

Transistores HEMT GaN con elevada densidad de potenciaLos modelos CoolGaN son respaldados por las plataformas de evaluación EVAL_1EDF_G1_HB_GAN y EVAL_2500W_PFC_G. La tarjeta EVAL_1EDF_G1_HB_GAN se caracteriza por un HEMT de 600 V CoolGaN y un IC controlador de puerta EiceDRIVER GaN de Infineon para permitir que los ingenieros evalúen las capacidades GaN de alta frecuencia en la topología half-bridge universal para aplicaciones de convertidor e inversor.

La placa EVAL_2500W_PFC_G, por su parte, incluye HEMT e-mode de 600 V CoolGaN, un MOSFET superjunction CoolMOS C7 Gold y un IC controlador de puerta EiceDRIVER para proporcionar una herramienta de evaluación de corrección de factor de potencia (PFC) full-bridge de 2,5 kW con una eficiencia por encima del 99 por ciento en aplicaciones críticas como SMPS y rectificadores de telecomunicaciones.

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