Transistores GaN/SiC RF de 100 V y 3,6 kW

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    Los nuevos transistores GaN/SiC RF de 100 V para aplicaciones militares y aeroespaciales garantizan la fiabilidad en aviónica de banda-L.

    Teledyne e2v HiRel Electronics, fabricante de semiconductores de alta fiabilidad, anuncia que ofrecerá versiones High Reliability de los transistores de potencia de nitruro de galio en carburo de silicio (GaN/SiC) de 100 V de Integra Technologies.

    La tecnología GaN/SiC RF de 100 V aporta a los diseñadores la capacidad de incrementar considerablemente los niveles de potencia de sistema y la funcionalidad, simplificando las arquitecturas con menos energía en comparación con las tecnologías GaN de 50 y 65 V.

    Teledyne calificará el primer producto de 100 V de Integra, el IGN1011S3600, que ofrece 3,6 kW a 1030 y 1090 MHz, una ganancia por encima de los 19 dB y una eficiencia de hasta el 75 por ciento. Teledyne HiRel, por su parte, proporcionará soporte para proyectos militares y aeroespaciales (sistemas L-band Avionics IFF & SSR).

    “Nuestros clientes requieren dispositivos de alimentación RF de mayor densidad de potencia”, comenta Brad Little, Vicepresidente y General Manager de Teledyne e2v HiRel. “La incorporación de apantallado y cualificaciones adicionales en los nuevos transistores GaN/SiC RF garantizarán una vida operativa superior incluso en entornos adversos”.

    Transistores GaN/SiC RF de 100 V y 3,6 kW

    Estos transistores con tecnología GaN/SiC HEMT superan las normativas RoHS y REACH.

    Para finalizar, os dejo el enlace a la página del transistor aquí.

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