Los nuevos transistores GaN/SiC RF de 100 V para aplicaciones militares y aeroespaciales garantizan la fiabilidad en aviónica de banda-L.
Teledyne e2v HiRel Electronics, fabricante de semiconductores de alta fiabilidad, anuncia que ofrecerá versiones High Reliability de los transistores de potencia de nitruro de galio en carburo de silicio (GaN/SiC) de 100 V de Integra Technologies.
La tecnología GaN/SiC RF de 100 V aporta a los diseñadores la capacidad de incrementar considerablemente los niveles de potencia de sistema y la funcionalidad, simplificando las arquitecturas con menos energía en comparación con las tecnologías GaN de 50 y 65 V.
Teledyne calificará el primer producto de 100 V de Integra, el IGN1011S3600, que ofrece 3,6 kW a 1030 y 1090 MHz, una ganancia por encima de los 19 dB y una eficiencia de hasta el 75 por ciento. Teledyne HiRel, por su parte, proporcionará soporte para proyectos militares y aeroespaciales (sistemas L-band Avionics IFF & SSR).
“Nuestros clientes requieren dispositivos de alimentación RF de mayor densidad de potencia”, comenta Brad Little, Vicepresidente y General Manager de Teledyne e2v HiRel. “La incorporación de apantallado y cualificaciones adicionales en los nuevos transistores GaN/SiC RF garantizarán una vida operativa superior incluso en entornos adversos”.
Estos transistores con tecnología GaN/SiC HEMT superan las normativas RoHS y REACH.
Para finalizar, os dejo el enlace a la página del transistor aquí.
