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Transistores de Nitruro de Galio

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Transistores de Nitruro de Galio

Transphorm y ON Semiconductor han presentado conjuntamente en el evento APEC 2015 dos nuevos transistores cascode de 600 V realizados en Nitruro de Galio (GaN), y un diseño de referencia de 240 W que los utiliza.

Estos nuevos transistores de Nitruro de Galio reciben denominaciones distintas para cada una de las compañías: TPH3202PS y TPH3206PS para Transphorm, y NTP8G202N y NTP8G206N para ON Semiconductor.

Presentan resistencias típicas de 150 y 290 mOhms, siendo ofrecidos en paquetes TO-220 optimizados para una fácil integración en las facilidades de construcción de placas de circuitos de los clientes.

Diseño con los nuevos transistores de Nitruro de Galio

La placa de evaluación en dos etapas, que tiene la nomenclatura NCP1397GANGEVB para ON Semiconductor y TDPS250E2D2 para Transphorm, se ofrece como un diseño de referencia completo, de forma que los clientes puedan implementar los transistores GaN cascode en sus diseños de potencia.

La placa de evaluación es representativa de una fuente de alimentación de producción que ha sido rediseñada para sistemas más pequeños y de mayor rendimiento, destacando la capacidad y el potencial de los transistores de GaN en este rango de potencia.

La etapa de impulso ofrece un 98% de eficiencia y utiliza el controlador de corrección del factor de potencia NCP1654. La etapa LLC DC-DC utiliza el controlador de modo resonante NCP1397 para ofrecer una eficiencia a plena carga del 97%.

Logra este rendimiento mientras funciona a más de 200 kHz, siendo también capaz de obtener el rendimiento EMC EN55022 Clase B. La documentación completa se encuentra disponible en los sitios web de ambas empresas fabricantes.

En 2014, y también en el evento APEC, se mostraron las placas de evaluación para esta tecnología. Estos nuevos transistores de Nitruro de Galio son el primer fruto del acuerdo anteriormente anunciado entre ambas empresas para llevar soluciones basadas en GaN al mercado.