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Transistor de potencia RF

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Transistor de potencia RF

Freescale Semiconductor ha presentado su nuevo transistor de potencia RF, concebido para proporcionar los beneficios de la generación de potencia RF de estado sólido a un amplio abanico de sistemas que operan en la frecuencia de los 2450 MHz.

Pensado para reemplazar a los magnetrones y otras tecnologías de la era de los tubos de vacío, el transistor de potencia RF MRF7S24250N ofrece una precisión excepcional, control y fiabilidad para los fabricantes de productos destinados a aplicaciones industriales.

Entre estos últimos encontramos, por ejemplo, el calentamiento/secado, soldadura de materiales y sistemas de iluminación de plasma, así como aplicaciones médicas utilizadas para el tratamiento de la piel, cirugía sin sangre y el tratamiento del cáncer.

El transistor de potencia RF para aplicaciones industriales y médicas MRF7S24250N ofrece soporte para control de potencia precisa sobre todo el rango dinámico, hasta los 250 W, lo que permite una mayor facilidad de uso que los magnetrones industriales.

Posibilidades de uso para el transistor de potencia RF

La posibilidad de cambiar frecuencias y fases abre la puerta a nuevos casos de uso en los que la energía de RF puede ser dirigida sólo cuando sea necesario. Además, el transistor ofrece ventajas inherentes a los equipos de estado sólido, tales como el potencial de funcionar durante cientos de miles de horas sin degradación del rendimiento en el tiempo, a la par que ofrece un nivel de potencia constante que elimina virtualmente la necesidad de interrumpir el sistema de destino para el mantenimiento periódico.

El nuevo transistor de potencia RF LDMOS 32V puede entregar 250 W CW (onda continua) con 14,5 dB de ganancia y el 55 por ciento de eficiencia. Se basa en la misma tecnología que los empaquetados de plástico como los transistores previamente anunciados MRFE6VP61K25N, MRFE6VP6600N y MRF8VP13350N con hasta un 30 por ciento menos de resistencia térmica que los empaquetados estándar de la industria de cavidad de aire cerámica.

Esto permite que el transistor de potencia RF sea operable a una temperatura de unión inferior, al mismo tiempo que reduce los requisitos de disipación de calor para ayudar a reducir el coste total del sistema.