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Transistor de modo mejorado para GaN FET

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Transistor de modo mejorado para GaN FET

Mouser Electronics ha anunciado la disponibilidad del transistor de modo mejorado para GaN FET modelo GS66508T y la tarjeta de evaluación half-bridge EVBHB asociada de GaN Systems.

El GS66508T es un conmutador de potencia de nitruro de galio (GaN) de 650 V con configuración top-cooled, mientras que la placa GS66508T-EVBHB totalmente funcional se puede configurar fácilmente en cualquier topología basada en half-bridge, incluyendo conversión boost o buck síncrona, para cambiar y valorar formas de onda de transistor.

El kit GS66508T contiene documentación, como lista de materiales, número de referencia (part number) de componente, distribución de capa y gestión térmica, y diseño de referencia de circuito de drive de puerta para ayudar a los ingenieros de sistema a incorporar el transistor en diseño de drive de potencia y motor.

Características del transistor de modo mejorado para GaN FET

El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor – FET) de 55 mΩ con encapsulado GaNPX logra una conversión de potencia eficiente (98.7 por ciento a 1.5 kW) con velocidades de conmutación rápida de 100 V / nS y pérdidas térmicas ultra bajas.

El diseño de die con Island Technology de GaN Systems, junto a la baja inductancia y la eficiencia térmica del encapsulado GaNPX, permiten al transistor de modo mejorado para GaN FET una mejora de 45 veces en conmutación y rendimiento de conducción en comparación con MOSFET e IGBT de silicio tradicionales.

Tarjeta de evaluación half-bridge EVBHB

Esta tarjeta, que proporciona una fase de potencia completa, consta de dos GaN FET GS66508T de 650 V y 30 A, drivers de puerta half-bridge, una fuente de alimentación de drive de puerta y un heat sink (disipador de calor).

La placa GS66508T-EVBHB ofrece footprints para inductores y condensadores que permitan a los diseñadores configurar la tarjeta en modos de test de pulso, buck / standard half bridge y boost.

También incluye pads de termopar y puertos de imagen de cámara térmica para dotar de acceso a la temperatura de unión de transistor.

Opera con entrada de alimentación de 9 a 12 VDC, con un máximo absoluto de 15 V. Los reguladores de tensión crean +5 V para el circuito de lógica y +6.5 V para el driver de puerta.

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